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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 單片集成0.8μm柵長GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增強/耗盡型贗配高電子遷移率晶體管 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 徐靜波,張海英,尹軍艦,劉亮,李瀟,葉甜春,黎明 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導體學報》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 9 |
| 頁: | 1424-1427 |
| 聯(lián)系作者: | 徐靜波 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 優(yōu)化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs贗配高電子遷移率晶體管（PHEMT）的外延結(jié)構(gòu)，有利于獲得增強型PHEMT的正向閾值電壓. 采用光學接觸式光刻方式，實現(xiàn)了單片集成0.8μm柵長GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增強/耗盡型PHEMT. 直流和高頻測試結(jié)果顯示：增強型（耗盡型）PHEMT的閾值電壓、非本征跨導、最大飽和漏電流密度、電流增益截止頻率、最高振蕩頻率分別為0.1V(-0.5V), 330mS/mm(260mS/mm), 245mA/mm(255mA/mm), 14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz). 利用單片集成增強/耗盡型PHEMT實現(xiàn)了直接耦合場效應晶體管邏輯反相器，電源電壓為1V，輸入0.15V電壓時，輸出電壓為0.98V；輸入0.3V電壓時，輸出電壓為0.18V. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | 中文關(guān)鍵詞：單片集成 增強型 耗盡型 贗配高電子遷移率晶體管 閾值電壓 |
科研產(chǎn)出