| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | GaN HEMT器件22元件小信號(hào)模型 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 劉丹,陳曉娟,劉新宇,吳德馨 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 9 |
| 頁: | 1438-1442 |
| 聯(lián)系作者: | 劉丹 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 采用了新型的包含22元件的GaN HEMT小信號(hào)模型，通過增加與柵源電容Cgs和柵漏電容Cgd并聯(lián)的電導(dǎo)Ggsf和Ggdf來表征GaN HEMT柵漏電情況.結(jié)果表明22元件小信號(hào)模型擬合度提高，物理意義更為明確. 同時(shí)重點(diǎn)改進(jìn)了寄生電容參數(shù)的提取方法，可有效地提取新型柵場(chǎng)板、源場(chǎng)板器件小信號(hào)參數(shù). 由算法提取的參數(shù)值可準(zhǔn)確反映GaN HEMT器件的物理特性. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | 中文關(guān)鍵詞：GaN HEMT 小信號(hào) 優(yōu)化 模擬 |
科研產(chǎn)出