| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 含InGaAsP的InP DHBT復(fù)合式集電區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 程偉,金智,于進(jìn)勇,劉新宇 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 6 |
| 頁: | 943-946 |
| 聯(lián)系作者: | 程偉 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 為了降低InP DHBT的B-C之間的導(dǎo)帶勢(shì)壘，抑制電流阻擋效應(yīng)，采用了一種含InGaAsP的復(fù)合式集電區(qū)結(jié)構(gòu). 第一次從理論上分析了此種類型的復(fù)合式集電區(qū)各個(gè)參數(shù)對(duì)于DHBT性能的影響并給出了優(yōu)化方案，為此類型的復(fù)合式集電區(qū)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)提供了理論指導(dǎo)和設(shè)計(jì)參考. 基于文中所述的理論，對(duì)文獻(xiàn)中的數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析，得到了令人滿意的結(jié)果. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | 中文關(guān)鍵詞：InP/InGaAs HBT 復(fù)合式集電區(qū) 勢(shì)壘尖峰 |
科研產(chǎn)出