| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | PDSOI nMOSFETs關(guān)態(tài)擊穿特性 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 畢津順,海潮和 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 1 |
| 頁(yè): | 14-18 |
| 聯(lián)系作者: | 畢津順 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 分別采用不同的背柵溝道注入劑量制成了部分耗盡絕緣體上硅浮體和H型柵體接觸n型溝道器件. 對(duì)這些器件的關(guān)態(tài)擊穿特性進(jìn)行了研究. 當(dāng)背柵溝道注入劑量從1.0e13增加到1.3e13cm-2，浮體n型溝道器件關(guān)態(tài)擊穿電壓由5.2升高到6.7V，而H型柵體接觸n型溝道器件關(guān)態(tài)擊穿電壓從11.9降低到9V. 通過(guò)測(cè)量寄生雙極晶體管靜態(tài)增益和漏體pn結(jié)擊穿電壓，對(duì)部分耗盡絕緣體上硅浮體和H型柵體接觸n型溝道器件的擊穿特性進(jìn)行了定性解釋和分析. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | 中文關(guān)鍵詞：部分耗盡絕緣體上硅 擊穿 背柵溝道注入 |
科研產(chǎn)出