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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 具有應(yīng)變溝道及EOT 1.2nm高性能柵長22nm CMOS器件 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 徐秋霞,錢鶴,段曉峰,劉海華,王大海,韓鄭生,劉明,陳寶欽,李海歐 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報》 |
| 年: | 2006 |
| 卷: | 27 |
| 期: | 13 |
| 頁: | 283-290 |
| 聯(lián)系作者: | 徐秋霞 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 深入研究了亞30nm CMOS關(guān)鍵工藝技術(shù)，特別是提出了一種新的低成本的提高空穴遷移率的技術(shù)--Ge預(yù)非晶化S/D延伸區(qū)誘生溝道應(yīng)變技術(shù)，它使柵長90nm pMOS空穴有效遷移率在0.6MV/cm電場下提高32%. 而且空穴有效遷移率的改善，隨器件特征尺寸縮小而增強. 利用零階勞厄線衍射的大角度會聚束電子衍射分析表明，在溝道區(qū)相應(yīng)的壓應(yīng)變?yōu)?3.6%. 在集成技術(shù)優(yōu)化的基礎(chǔ)上，研制成功了高性能柵長22nm應(yīng)變溝道CMOS器件及柵長27nm CMOS 32分頻器電路（其中分別嵌入了57級/201級環(huán)形振蕩器）, EOT為1.2nm,具有Ni自對準(zhǔn)硅化物. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | 中文關(guān)鍵詞：應(yīng)變硅溝道 壓應(yīng)力 Ge預(yù)非晶化注入 等效氧化層厚度 柵長 CMOS |
科研產(chǎn)出