| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | A Short-Channel SOI RF Power LDMOS Technology With TiSi2 Salicide on Dual Sidewalls With Cutoff Frequency fT ～ 19.3 GHz |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | Rong Yang, J. F. Li, H. Qian, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
| 年: | 2006 |
| 卷: | 27 |
| 期: | 11 |
| 頁: | |
| 聯(lián)系作者: | Rong Yang |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出