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論文編號:
第一作者所在部門:
論文題目: 5～22 GHz平坦高增益單片低噪聲放大器
論文題目英文:
作者: 彭龍新; 李建平; 李拂曉; 楊乃彬;
論文出處:
刊物名稱: 《固體電子學研究與進展》
年: 2006
卷:
期: 2
頁:
聯系作者: 彭龍新
收錄類別:
影響因子:
摘要:

使用0.25μm G aA s PHEM T工藝技術,設計和制造了性能優(yōu)良的5-22 GH z兩級并聯反饋單片低噪聲放大器。在工作頻率5-22 GH z內,測得增益G≥18 dB,帶內增益波動ΔG≤±0.35 dB,噪聲系數N F≤3.2 dB,輸入輸出駐波V SW R≤1.7,最小分貝壓縮點輸出功率P1dB≥10.5 dBm,電流增益效率達2.77 mA/dB。測試結果驗證了設計的正確性。    
英文摘要:
外單位作者單位:
備注:

關鍵詞：寬帶; 平坦高增益; 低噪聲; 反饋放大器; 電流增益效率; 微波單片集成電路;