| 論文編號: | TN386 |
| 第一作者所在部門: | 硅器件與集成技術(shù)研究室(一室) |
| 論文題目: | 部分耗盡SOI NMOSFET總劑量輻照的最壞偏置 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 卜建輝;劉夢新;胡愛斌;韓鄭生 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 半導(dǎo)體技術(shù) |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 1 |
| 頁: | 4，65-68 |
| 聯(lián)系作者: | |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 通過模擬對ON、OFF、TG三種偏置下PD SOI NMOSFET的總劑量輻照效應(yīng)進(jìn)行了研究。模擬發(fā)現(xiàn)正溝道的最壞偏置是ON偏置，背溝道的最壞偏置與總劑量有關(guān)。當(dāng)總劑量大時(shí)，背溝道的最壞偏置是OFF偏置；當(dāng)總劑量小時(shí)則是TG偏置。而NMOSFET的最壞偏置則取決于起主要作用的是正柵還是背柵。由于輻照產(chǎn)生電子空穴對的過程與電場分布強(qiáng)相關(guān)，通過分析不同偏置下電場分布的差異確定最壞偏置的內(nèi)在機(jī)制。 |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出