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論文編號: 1725110120150049
第一作者所在部門: 研究生6,高頻高壓中心
論文題目: Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications
論文題目英文:
作者:
論文出處:
刊物名稱: Journal of Semiconductors
: 2015
: 36
: 7
: 074006-1-074006-7
聯(lián)系作者: 林體元,黃森,袁婷婷,劉新宇,王鑫華,劉果果,龐磊
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