| 論文編號: | 1725110120160338 |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | Ultra-thin 20 nm-PECVD-Si3N4 surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs and its impact on DC and RF performance |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 丁芃 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | SOLID-STATE ELECTRONICS |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 123 |
| 頁: | 1 |
| 聯(lián)系作者: | 金智 |
| 收錄類別: | |
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| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產出