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論文編號: 1725110120160334
第一作者所在部門:
論文題目: 應(yīng)用反短/窄溝效應(yīng)優(yōu)化亞閾值 SRAM 單元?
論文題目英文:
作者: 蔡江錚
論文出處:
刊物名稱: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報
: 2016
:
: 4
: 1
聯(lián)系作者: 黑勇
收錄類別:
影響因子:
摘要:
英文摘要:
外單位作者單位:
備注: