| 論文編號: | 1725110120160323 |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | Fully CMOS Compatible 3D Vertical RRAM with Self-aligned Self-selective Cell enabling sub-5nm scaling |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 許曉欣 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 頁: | 2158 |
| 聯(lián)系作者: | 劉明,呂杭炳 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
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| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出