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論文編號: 1725110120160254
第一作者所在部門:
論文題目: Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory
論文題目英文:
作者: 姜丹丹
論文出處:
刊物名稱: Integrated Ferroelectrics
年: 2016
卷:
期: 169
頁: 146
聯系作者: 霍宗亮
收錄類別:
影響因子:
摘要:
英文摘要:
外單位作者單位:
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