| 論文編號(hào): | 1725110120160252 |
| 第一作者所在部門(mén): | |
| 論文題目: | Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-K metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 徐昊 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | Chinese Physics B |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 25 |
| 頁(yè): | 87305 |
| 聯(lián)系作者: | 王文武 |
| 收錄類別: | |
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| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出