| 論文編號(hào): | 1725110120160202 |
| 第一作者所在部門(mén): | |
| 論文題目: | Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 王桂磊 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱(chēng): | Microelectronics Engineering |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 163 |
| 頁(yè): | 49 |
| 聯(lián)系作者: | 羅軍,王桂磊 |
| 收錄類(lèi)別: | |
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| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出