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論文編號: 1725110120160179
第一作者所在部門:
論文題目: Current compliance impact on the instability of HfO2-based RRAM devices
論文題目英文:
作者: 張美蕓
論文出處:
刊物名稱: IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop 2016
: 2016
:
: 16341902
: 1
聯(lián)系作者: 龍世兵
收錄類別:
影響因子:
摘要:
英文摘要:
外單位作者單位:
備注: