| 論文編號(hào): | 1725110120160168 |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | Effects of combined NO and forming gas annealing on interfacial properties and oxide reliability of 4H-SiC MOS structures |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 彭朝陽(yáng) |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | Microelectronics Reliability |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 58 |
| 頁(yè): | 192 |
| 聯(lián)系作者: | 申華軍,劉可安,白云 |
| 收錄類別: | |
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| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出