| 論文編號(hào): | 1725110120160120 |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 00-nm Gate-Length GaAs mHEMTs using Si-doped InP/InAlAs schottky layers and atomic layer deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | IEEE |
| 年: | 2016 |
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| 期: | 1 |
| 頁: | 1 |
| 聯(lián)系作者: | 孫兵,劉洪剛 |
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| 英文摘要: | |
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| 備注: | |
科研產(chǎn)出