| 論文編號(hào): | 1725110120160117 |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 100-nm gate-length enhancement mode InGaAs MOSFETs with InGaP interfacial layer and Al2O3 as gate oxide |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 常虎東 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | IEEE |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 頁: | 1 |
| 聯(lián)系作者: | 劉洪剛 |
| 收錄類別: | |
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| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出