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論文編號: 1725110120160111
第一作者所在部門:
論文題目: InP表面氮化對Al2O3/InP金屬氧化物半導體電容界面特性及漏電特性的影響
論文題目英文:
作者: 曹明民
論文出處:
刊物名稱: 真空科學與技術學報
: 2016
:
: 1
: 110
聯(lián)系作者: 李海鷗
收錄類別:
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摘要:
英文摘要:
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