| 論文編號(hào): | 1725110120160076 |
| 第一作者所在部門(mén): | |
| 論文題目: | Effect of interface and bulk traps on the C–V characterization of a LPCVD-SiNx/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱(chēng): | Semiconductor Science and Technology |
| 年: | 2016 |
| 卷: | 31 |
| 期: | 6 |
| 頁(yè): | 065014-1 |
| 聯(lián)系作者: | 黃森 |
| 收錄類(lèi)別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出