| 論文編號: | 1725110120160075 |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | Normally-Off GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated with LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | IEEE Transactions on Electron Devices |
| 年: | 2016 |
| 卷: | 63 |
| 期: | 2 |
| 頁: | 614 |
| 聯(lián)系作者: | 黃森,王鑫華,劉新宇 |
| 收錄類別: | |
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| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出