曾任：
國(guó)家重大科技攻關(guān)課題負(fù)責(zé)人；
攀登計(jì)劃首席科學(xué)家；
國(guó)家重大基礎(chǔ)研究顧問專家組成員；
中科院學(xué)部主席團(tuán)成員；
中國(guó)電子學(xué)會(huì)常務(wù)理事；
半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)主任；
第九屆、十屆全國(guó)人大常委會(huì)委員和教科文衛(wèi)委員會(huì)委員等職務(wù)。
在國(guó)內(nèi)率先提出了利用MEMS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)激光器和光纖的無源耦合。并研究成功工作速率達(dá)10Gbps的光發(fā)射模塊。其中“先進(jìn)的深亞微米工藝技術(shù)及新型器件”獲2003年北京市科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)。
獨(dú)立自主開發(fā)成功全套0.8微米CMOS工藝技術(shù)。獲1998年中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和1999年國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。作為國(guó)家攀登計(jì)劃首席科學(xué)家負(fù)責(zé)“深亞微米結(jié)構(gòu)器件及介觀物理項(xiàng)目研究。開展了12項(xiàng)課題的研究。為介觀物理基礎(chǔ)和新結(jié)構(gòu)器件的進(jìn)一步研究打下基礎(chǔ)
作為工藝負(fù)責(zé)人研究成功N溝MOS 4K、16K動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和成品率的提高。獨(dú)創(chuàng)了檢驗(yàn)接觸孔質(zhì)量的露點(diǎn)檢測(cè)法。并推廣到上海器件五廠。分別獲得1980和1981年中科院科技成果一等獎(jiǎng)兩次。負(fù)責(zé)平面型高速開關(guān)管的研究，獨(dú)立解決了提高開關(guān)速度的關(guān)鍵問題，并推廣至上海器件五廠和109廠，為兩彈一星采用的109計(jì)算機(jī)提供器件基礎(chǔ)。獲國(guó)家新產(chǎn)品一等獎(jiǎng)。
2004年，獲何梁何利技術(shù)科學(xué)獎(jiǎng)。
人才隊(duì)伍