教育背景
1997.9-2001.6，河北師范大學(xué)，本科，物理
2001.9-2004.6，廣西大學(xué)，碩士，材料物理
2004.9-2007.6，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，博士，固體電子與微電子
工作簡(jiǎn)歷
2007.7至今，中科院微電子研究所，副研究員
1、AlGaN/GaN HEMT 低頻噪聲與器件可靠性相關(guān)性的研究，國(guó)家自然基金 青年科學(xué)基金項(xiàng)目，2012.1－2014.12 28萬(wàn) 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人
2、AlGaN/GaN HEMT飛秒超快特性的研究，國(guó)家自然基金 面上項(xiàng)目 2010.1－2012.12 31萬(wàn) 主要負(fù)責(zé)
3、GaN基毫米波功率器件與材料基礎(chǔ)與關(guān)鍵技術(shù)研究，國(guó)家自然基金 重大項(xiàng)目 成員
4、新一代化合物半導(dǎo)體電子器件與電路研究子課題“AlGaN/GaN微波功率器件” 973成員
1、Miao Zhao, Liu Xinyu, etal., Thermal storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors，IEEE transaction on device and material reliability, 10 (2010)， P 360-365。
2、Miao Zhao, M.Q.Tan, etal., The effect of proton radiation on a superluminescent diode (SLD)，Nuclear Inst. And Methods in Physics Research, B, 260, 2007: 623-627.
3、趙妙，劉新宇，等，GaN帽層對(duì)AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究， 第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議，2008：697－699
4、趙妙，譚滿清，等，雙源電子束蒸發(fā)提高光學(xué)薄膜致密性的工藝研究，光電子·激光，18（2007）40-42
5、趙妙，譚滿清，質(zhì)子輻照對(duì)超輻射發(fā)光二極管性能的影響，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，27（2006）1586－89
6、Wang Xin-Hua，Zhao Miao，Liu Xin-Yu，The physical process analysis of capacitance-voltage characteristics for AlGaN-AlN-GaN HEMTs, Chinese physics B, 19 (2010).
7、Wang Xinhua, Zhao Miao, Liu Xinyu, etal. A revised approach to schottky parameters extraction for GaN HEMT after elevated temperature aging，Journal of semiconductors，2010，31(7), P074005
8、Zhaomiao，Liu xinyu，Zheng Yingkui，etal，IEEE 19th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2012)
1、趙妙，等，一種提高肖特基勢(shì)壘高度的方法，申請(qǐng)?zhí)枺?00910303939.4， 09.07.02
2、趙妙，等，已減薄或劃片的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管的退火處理方法，200910307846.9，09.09.28
3、趙妙，等，一種測(cè)量AlGaN/GaN HEMT器件凹柵槽深度的方法，200910241685.8，2009.12.02
4、趙妙，劉新宇，等，一種檢測(cè)GaN器件肖特基漏電模式的方法，201010217186.8，2010.7.6
5、趙妙，等，一種通過(guò)肖特基測(cè)試圖形監(jiān)測(cè)GaN基HEMT可靠性的方法，201010241994.8 2010.8.3
6、趙妙，劉新宇，等，一種GaN基HEMT器件的可靠性評(píng)估方法，201010233999.6，2010.7.22
7、趙妙，等，確定場(chǎng)效應(yīng)管老化條件的方法、場(chǎng)效應(yīng)管老化方法及場(chǎng)效應(yīng)管篩選方法，201110163890.4，2011.6.17
8、趙妙，等，對(duì)GaN基器件的直流穩(wěn)態(tài)功率老化進(jìn)行預(yù)篩選的方法，201110236597.6,2011.8.17
9、趙妙，等，一種測(cè)量GaN基器件熱可靠性的方法，201110236600.4，2011.8.17
10、趙妙，等，確定AlGaN/GaN基異質(zhì)結(jié)溝道載流子壽命的方法，201210238641.1，2012.7.10
11、趙妙，等，一種評(píng)價(jià)半導(dǎo)體器件肖特基電流輸運(yùn)方式的方法，201210239703.0，2012.7.10
12、趙妙，等，雙溝道晶體管及其制備方法，201210335697.9，2012.9.11
13、趙妙，劉新宇，鄭英奎，李艷奎等，GaN基器件肖特基接觸可靠性的評(píng)價(jià)方法，201410005195.9, 2014.1.6
14、趙妙，劉新宇，魏珂，李艷奎等，一種GaN基半導(dǎo)體器件歐姆接觸可靠性的評(píng)價(jià)方法，201410005400.1, 2014.1.6
15、趙妙，劉新宇，鄭英奎，李艷奎等 一種檢測(cè)器件肖特基漏電模式的方法，201010217186.8， 2013.7.3
16、趙妙，劉新宇，鄭英奎，魏珂，李艷奎等，一種GaN基HEMT器件的可靠性評(píng)估方法，201010233999.6， 2013.8.14
Zhaomiao，Liu Xinyu，IEEE 16th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2009) Photo
人才隊(duì)伍