教育背景
2006.09-2010.07，北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，博士。
2004.09-2006.07，北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，碩士。
1998.09-2002.07，內(nèi)蒙古科技大學(xué)材料系，本科。
工作簡歷
2019.04-至今，中國科學(xué)院微電子研究所，研究員
2013.10-2019.04，中國科學(xué)院微電子研究所，副研究員。
2012.8-2013.10，中國科學(xué)院微電子研究所，助理研究員
2010.10-2012.08，清華大學(xué)材料系，博士后。
2002.07-2004.09，武漢鋼鐵集團公司，助理工程師。
IEEE Member；
2015中國（國際）功能材料科技與產(chǎn)業(yè)高層論壇，組織委員會委員
半導(dǎo)體器件物理，熱電材料，有機太陽能電池，新型非揮發(fā)存儲技術(shù)，第一性原理計算
1. 2022.11-205.10，主持國家重點研發(fā)計劃課題，新型IGZO 垂直溝道器件及三維堆疊DRAM 單元的研究，批準(zhǔn)2022YFB3606902。
2. 2019.1-2023.12, 主持國家自然科學(xué)基金委重大項目, 分子材料晶體管的器件模型與電路構(gòu)建, 批準(zhǔn)號：61890944。
1.Nanduan Lu, Ling Li, and Ming Liu, “Thermoelectric Seebeck Effect of Disordered Organic Semiconductors”, Published by Scrivener Publishing, Beverly, MA, March. 2019. (Advanced Thermoelectric Materials, Edited by Chong Rae Park).
2.Nanduan Lu, Ling Li, and Ming Liu, “The Polaron Effect on Charge Transport Property for Organic Semiconductors”, Published by Nova science publishers, New York, Sep. 2018. (Polarons: Recent Progress and Perspectives, Edited by Amel Laref).
3.Nanduan Lu, Ling Li, and Ming Liu, “Thermoelectric effect and application of organic semiconductors”, Published by INTECH, UK, 2016, DOI: 10.5772/65872. (Thermoelectrics for Power Generation-A Look at Trends in the Technology, Edited bySergey Skipidarov and Mikhail Nikitin,).
4.?Dong Qin, Kaifei Chen, Jiezhi Chen, and Nianduan Lu#, “A Unified Distribution Form of the Density of States in Disordered Organic Semiconductors”, IEEE Transaction on Electron Devices, 69(8), 4507-4512 (2022) (# corresponding author)
5.Hong Wang, Xiaobing Yan, Shufang Wang, and Nianduan Lu#, “High-stability memristive devices based on Pd conductive filaments and its applications in neuromorphic computing”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 13, 17844-17851 (2021). (# corresponding author)
6.?Xichen Chuai, Guanhua Yang, Wei Wei, Jiawei Wang, Xuewen Shi, Congyan Lu, Ying Zhao, Yue Su, Quantan Wu, Di Geng, Nianduan Lu#, Ling Li, and Ming Liu, “Optimization of electrical properties of MoS2 field-effect transistors by dipole layer coulombic interaction with trap states”, Phys. Status Solidi RRL, 13(7), 1900007 (2019). (# corresponding author)
7. Zhenyu Zhou, Xiaobing Yan, Jianhui Zhao, Lu Chao, Deliang Ren, Nianduan Lu#, Jingjuan Wang, Lei Zhang, Xiaoyan Li, Hong Wang, and Mengliu Zhao, “Synapse behavior characterization and physics mechanism of a TiN/SiOx/p-Si tunneling memristor device”, Journal of Materials Chemistry C, 7, 1561-1567 (2019).
8.?Nianduan Lu, Nan Gao, Ling Li, and Ming Liu, “Temperature, electric-field, and carrier-density dependence of hopping magnetoresistivity in disordered organic semiconductors”,Phys. Rev. B, 96, 165205 (2017).
9.?Sen Liu*, Nianduan Lu*, Xiaolong Zhao, Hui Xu, Writam Banerjee, Hangbing Lv, Shibing Long, Qingjiang Li, Qi Liu and Ming Liu, “Eliminating negative-SET behavior by suppressing nanofilament overgrowth in cation-based memory”, Adv. Mater., In press, 2016. (*represents that authors contributed equally to this work).
10.Nianduan Lu, Ling Li, and Ming Liu, “Universal carrier thermoelectric-transport model based on percolation ??
???theory in organic semiconductors”, Phys. Rev. B, 91：195205 (2015).?
1.盧年端,李泠,劉明，“一種用于獲取表面勢的方法及裝置”，受理時間：2018年8月9日。(美國專利號：US11366946)，美國專利已授權(quán), 2022年6月21日
2.盧年端，李泠，劉明，劉琦，“一種阻變存儲器的設(shè)計方法及裝置”，申請日：2018年8月9日。（美國專利號：US11010530）：美國專利已授權(quán), 2021年5月18日
3.?盧年端，孫鵬霄,李泠,劉明,劉琦,龍世兵,呂杭炳， “三維集成阻變存儲器的熱效應(yīng)評估及降低熱串?dāng)_的方法”，受理時間：2016年8月12日。(美國專利號：US10418549B2)，美國專利已授權(quán), 2019年9月17日
4.盧年端，李泠，姜文峰，耿玓，王嘉瑋，李蒙蒙，劉明，“一種半導(dǎo)體器件及其制備方法”，202010366057.9，受理時間，2020年4月30日.授權(quán)公告日：2023年4月11日。
5.?盧年端，李泠，揣喜臣，楊冠華，耿玓，劉明，“場效應(yīng)晶體管及其制備方法”，專利號：201910336883.6，申請日：2019.4.24.授權(quán)公告日：2022年4月26日
6.盧年端，李泠，耿玓，劉明，“一種用于測量二維半導(dǎo)體材料的磁阻的裝置及其制作方法”，專利號：201810684255.2，申請日：2018.06.27。授權(quán)公告日：2020.8.18.
7.盧年端，魏巍，李泠，劉明，“一種優(yōu)化氧化物基的阻變存儲器性能的方法”，專利號：201710376114.X，受理時間：2017年5月25日。授權(quán)公告日：2020.3.20.
8.盧年端，李泠，劉明，劉琦，“一種阻變存儲器的設(shè)計方法及裝置”，專利號：201810508704.8，申請日：2018.05.24。授權(quán)公告日：2020.1.21
9.?盧年端，李泠，劉明，“測量有機半導(dǎo)體狀態(tài)密度的方法”，專利號：CN201510228253.9。授權(quán)公告日：2018.02.13.
10.盧年端; 馬尚; 李泠; 耿玓; 劉明，“一種阻變存儲器的制備方法”，專利號：CN201811239346.1，申請日：2018.10.23. 授權(quán)公告日：2022年10月21日
2018年中國科學(xué)院杰出科技成就獎（主要完成者）
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