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當(dāng)前位置 首頁(yè) 人才隊(duì)伍
  • 姓名： 孫兵
  • 性別： 男
  • 職稱： 副研究員
  • 職務(wù)： 
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 010-82995593
  • 傳真： 010-62021601
  • 電子郵件： sunbing@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件與集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)

    簡(jiǎn)　　歷：

  • 教育背景

    2005.09-2010.07 北京大學(xué)信科微電子系 碩博連讀

    2001.09-2005.07 南京大學(xué)物理學(xué)系 本科

    工作簡(jiǎn)歷

    2014.12-至今 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 副研究員

    2010.07-2014.11 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 助理研究員

    社會(huì)任職：

    研究方向：

  • 高遷移率CMOS技術(shù)與器件

    承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

  • 1. 國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目，高遷移率Ⅲ-Ⅴ MOS器件復(fù)合柵介質(zhì)界面調(diào)控機(jī)理的研究，61106095，2012-2014年，28萬(wàn)元，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，已結(jié)題。

    2. 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃：“碳基/硅基CMOS 電路的混合集成”課題，2016YFA0201903，240萬(wàn)元，2016.7-2021.6, 子課題負(fù)責(zé)人，在研。

    3. 國(guó)家973項(xiàng)目（2010CB327501）課題：“超高頻化合物基CMOS器件和電路研究”（2010-2014），參與人，已結(jié)題。

    4. 國(guó)家973項(xiàng)目（2011CBA00605）課題：“超低功耗高性能集成電路器件與工藝基礎(chǔ)研究”（2011-2015），參與人，已結(jié)題。

    5. 國(guó)家02科技重大專項(xiàng)課題（2011ZX02708-003）：“高遷移率CMOS新結(jié)構(gòu)器件與工藝集成研究”（2011-2014），參與人，已結(jié)題。

    代表論著：

  • 1. B. Sun, H. D. Chang, S. K. Wang, P. Ding, J. B. Niu, Z. J. Gong, H.-G Liu, “100-nm Gate-Length GaAs mHEMTs Using Si-doped InP/InAlAs Schottky Layers and Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz”, The 7th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2016), T9-5, May 9-11, 2016, Chengdu, China.

    2. B. Sun, Z. H. Zeng, H. D. Chang, Q. L. Sun, S. K. Wang, W. X. Wang, H. -G. Liu, “InGaSb Buried-Channel pMOSFET Fabricated by Using Digital Etch Technique”, Extend Abstract of International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), p.124, 2014, Tsukuba, Japan.

    3. B. Sun, W. Zhao, S. Y. Li, H. D. Chang, S. K. Wang, J. Q. Pan, H. -G. Liu, “The effect of in-situ ozone annealing per cycle on Al2O3 gate dielectric deposited by atomic layer deposition using TMA and H2O for InGaAs MOS capacitor”, The 12th International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2014), Oct. 28- 31, 2014, Guilin, China.

    4. B. Sun, H. D Chang, L. Lu, H. -G. Liu, D. X. Wu, “High-Quality Single Crystalline Ge (111) Growth on Si (111) Substrates by Solid Phase Epitaxy”, Chin. Phys. Lett. Vol. 29, No. 3 (2012)036102.

    5. B. Sun, L. S. Wu, H. D. Chang, W. Zhao, B. Q. Xue, H. -G. Liu, “Source/Drain Ohmic Contact Optimization for GaSb pMOSFETs”, The 11th International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technolog (ICSICT-2012), Xi’ An, Oct. 29 - Nov. 1, 2012.

    專利申請(qǐng)：

  • PCT專利申請(qǐng)：

    1. 孫兵，劉洪剛，趙威，王盛凱，常虎東，在半導(dǎo)體襯底表面制備鋅摻雜超淺結(jié)的方法，PCT/CN2014/075402

    授權(quán)專利：

    1. 孫兵，劉洪剛，一種高遷移率襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法，CN 102569364B。

    2. 孫兵，劉洪剛，一種高遷移率CMOS集成單元，CN 102544009B。

    3. 孫兵，劉洪剛，趙威，王盛凱，?；|，一種納米線襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法，CN 103633123B

    獲獎(jiǎng)及榮譽(yù)：