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當(dāng)前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 卜建輝
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 硅器件中心模型部部長
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 010-82995821
  • 傳真： 010-82995564
  • 電子郵件： bujianhui@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 硅器件與集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2002-2006 西安交通大學(xué) 電子系 本科

    2006-2011 中科院微電子所 博士

    工作簡歷

    2011-2016 中科院微電子所 助理研究員

    2016-至今 中科院微電子所 副研究員

    社會任職：

    研究方向：

  • 半導(dǎo)體器件模型及參數(shù)提取，半導(dǎo)體器件物理，半導(dǎo)體器件可靠性

    承擔(dān)科研項目情況：

  • 作為技術(shù)骨干參與若干國家重大專項

    代表論著：

  • 第一作者發(fā)表論文10余篇?

    (1) Bu, Jianhui ，Bi, Jinshun，Liu, Mengxin，Han, Zhengsheng ，A total?dose radiation model for deep submicron PDSOINMOS，Chinese Journal of?Semiconductors，2011，32（1）：014002-1-014002-3。 ?

    (2) Jianhui, Bu ，Jinshun, Bi，Linmao, Xi，Zhengsheng, Han ，Deep?submicron PDSOI thermal resistance extraction，Chinese Journal of?Semiconductors，2010，31（9）：094001-1-094001-3。?

    (3) 卜建輝，畢津順，宋李梅，韓鄭生，深亞微米抗輻照PDSOI nMOSFET的熱載流子效應(yīng)，微電子學(xué)，2010，40（3）：461-463。?

    (4) 卜建輝，劉夢新，胡愛斌，韓鄭生，部分耗盡SOINMOSFET總劑量輻照的最壞偏置，半導(dǎo)體技術(shù)，2009，34（1）：65-68。?

    (5) 卜建輝，劉夢新，胡愛斌，韓鄭生，SOI器件的增強短溝道效應(yīng)模型，半導(dǎo)體技術(shù)，2009，34（6）：560-562。?

    (6) 卜建輝，畢津順，宋李梅，韓鄭生，深亞微米抗輻照PDSOInMOSFET的熱載流子效應(yīng)，微電子學(xué)，2010，（03）：461-463。?

    (7) 卜建輝，劉夢新，胡愛斌，韓鄭生，SOI器件的增強短溝道效應(yīng)模型，半導(dǎo)體技術(shù)，2009，（06）：560-562。?

    (8) 卜建輝，劉夢新，胡愛斌，韓鄭生，部分耗盡SOINMOSFET總劑量輻照的最壞偏置(英文)，半導(dǎo)體技術(shù)，2009，（01）：65-68。?

    (9) Bu, Jianhui ，Li, Shuzhen，Luo, Jiajun，Han, Zhengsheng，The STI?stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs，Chinese Journal of?Semiconductors，2014，35（3）：034008-1-034008-3。?

    (10) Bu, Jianhui ，Bi, Jinshun，Song, Limei，Han, Zhengsheng ，Short?channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs，Chinese Journal of?Semiconductors，2010，31（1）：014002-1-014002-3。?

    (11) 卜建輝，畢津順，呂蔭學(xué)，韓鄭生，深亞微米PDSOInMOSFETs熱載流子壽命研究，第十七屆全國半導(dǎo)體集成電路、硅材料學(xué)術(shù)會議，2011.11。?

    (12) Bu, Jianhui ，Li, Ying，Luo, Jiajun，Han, Zhengsheng，A simulation?model for PDSOI MOSFETs，2014 12th IEEE International Conference on Solid-Stateand Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014，2014.10.28-2014.10.31。?

    (13) Bu, Jianhui ，Bi, Jinshun，Ma, Xianjun，Luo, Jiajun，Han,Zhengsheng，Cai, Haogang，A compact model for the STI y-stress effect on deep?submicron PDSOI MOSFETs，2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2012，2012.10.29-2012.11.1?

    (14) Bu Jianhui ，Li ying，Luo Jiajun，Han Zhengsheng ，A Simulation?Modelfor the PN Junction Based on SOI，2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2016，，2016.10.25-2016.10.28

    專利申請：

  • 第一發(fā)明人申請專利30余項，已授權(quán)12項

    (1) 卜建輝，曾傳濱，張剛，羅家俊，韓鄭生，一種環(huán)形振蕩器測試系統(tǒng)，2014.7.2，中國，CN201320833795.5

    (2) 卜建輝，李瑩，畢津順，李書振，羅家俊，韓鄭生，一種SOI_MOSFET的熱阻提取方法，2015.12.15，中國，CN201310339890.4

    (3) 卜建輝，畢津順，羅家俊，韓鄭生，SOI H型柵MOS器件的建模方法，2015.5.27，中國，CN201210536882.4

    (4) 卜建輝，畢津順，羅家俊，韓鄭生，SOI MOS器件的建模方法，2014.10.15，中國，CN201210248270.5

    (5) 卜建輝，畢津順，羅家俊，韓鄭生，一種PN結(jié)結(jié)深測算方法，2014.7.2，中國，CN201210212571.2

    (6) 卜建輝，畢津順，羅家俊，韓鄭生，MOS器件的建模方法，2014.11.26，中國，CN201210212516.3

    (7) 卜建輝，畢津順，梅博，羅家俊，韓鄭生，MOS器件的建模方法，2015.2.18國，CN201210123082.X

    (8) 卜建輝，畢津順，韓鄭生，一種SOINMOS總劑量輻照建模方法，2014.4.2，中國，CN201010251985.7

    (9) 卜建輝，畢津順，韓鄭生，一種SOI體電阻建模方法，2014.5.14，中國，CN201010217274.8

    (10) 卜建輝，畢津順，習(xí)林茂，韓鄭生，一種預(yù)測絕緣體上硅器件熱載流子壽命的方法，2013.8.7，中國，CN201010157559.7

    (11) 卜建輝，羅家俊，韓鄭生，一種BTS型柵SOI器件的建模方法，2017.01.04，中國，CN201410167764.X

    (12) 卜建輝，羅家俊，韓鄭生，一種H型柵SOI器件的建模方法，2017.01.18，中國，CN201410163198.5

    獲獎及榮譽：

  • 2011年 中科院研究生院 優(yōu)秀畢業(yè)生