教育背景
2008.04-2011.07,蘭州大學(xué)&中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合培養(yǎng),博士
2006.09-2008.04,蘭州大學(xué),物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,博士
2002.09-2006.07,蘭州大學(xué),物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,本科
工作簡歷
2016.01-至今,中國科學(xué)院微電子研究所,微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,副研究員
2012.10-2016.01,中國科學(xué)院微電子研究所,納米加工與新器件集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室,助理研究員
1. Yan Wang, Qi Liu, Shibing Long, Wei Wang, QinWang, Manhong Zhang, Sen Zhang, Yingtao Li, Qingyun Zuo, Jianhong Yang and Ming Liu, “Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications”, Nanotechnology, 21(4): 045202, 2009.
2. Yan Wang, Hangbing Lv, Wei Wang, Qi Liu, Shibing Long, Qin Wang, Zongliang Huo, Sen Zhang, Yingtao Li, Qingyun Zuo, Wentai Lian, Jianhong Yang, Ming Liu, “Highly stable radiation-hardened resistive-switching memory”, IEEE Electron Devices Lett., 31(12): 1470-1472, 2010.
3. Fei Huang, Yan Wang, Xiao Liang, Jun Qin, Yan Zhang, Xiufang Yuan, Zhuo Wang, Bo Peng, Longjiang Deng, Qi Liu, Ming Liu, “HfO2 Based Highly Stable Radiation-Immune Ferroelectric Memory”, IEEE Electron Devices Lett. 38(3): 330-333, 2017
4. Yan Wang,Qi Liu, Hangbing Lv, Shibing Long, Sen Zhang, Yingtao Li, Wentai Lian, Jianhong Yang and Ming Liu, “CMOS compatible nonvolatile memory devices based on SiO2/Cu/SiO2 multilayer films” Chinese Phys. Lett. 28 077201.
5. Yan Wang, Qi Liu, Hangbing Lv, Shibing Long, Wei Wang, Yingtao Li, Sen Zhang, Wentai Lian, Jianhong Yang, Ming Liu, “Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology” Chinese Science Bulletin, 2012, vol.57:1235-1240.
“氧化物阻變存儲(chǔ)器機(jī)理與性能調(diào)控” 2016年國家自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)(第五完成人)
“阻變存儲(chǔ)器機(jī)理與性能調(diào)控” 2015年中國電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)(第五完成人)
“阻變存儲(chǔ)器及集成的基礎(chǔ)研究” 2014年北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)
人才隊(duì)伍