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當(dāng)前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 黃森
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 82995587
  • 傳真： +86-10-62021601
  • 電子郵件： huangsen@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件與集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景?

    2000-2004：大連理工大學(xué)物理系 電子科學(xué)技術(shù)專業(yè)， 學(xué)士?

    2004-2009：北京大學(xué)物理學(xué)院 凝聚態(tài)物理專業(yè)， 博士

    工作簡歷?

    2009-2012：香港科技大學(xué)電子及計算機工程學(xué)系 博士后?

    2012-2017：中科院微電子研究所 副研究員?

    2017至今：中科院微電子研究所 研究員

    社會任職：

  • 國際電氣與電子工程師協(xié)會(IEEE)高級會員； 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟中科院微電子所代表； 中國科學(xué)院-香港科技大學(xué)微電子聯(lián)合實驗室主任

    研究方向：

  • 高性能GaN基電力電子和射頻微波器件；Si基GaN智能功率集成電路；III族氮化物半導(dǎo)體電子器件的先進制備工藝，表征技術(shù)及器件物理

    承擔(dān)科研項目情況：

  • 1. 國家自然科學(xué)基金重點項目，62334012，高耐壓低導(dǎo)通GaN基功率電子器件研究，2024/01～2028/12，項目負(fù)責(zé)人。
    2. 國家優(yōu)秀青年科學(xué)基金項目，61822407，GaN基功率電子器件，2019-2021，項目負(fù)責(zé)人。
    3. 國家科技部重點研發(fā)計劃項目，2022YFB3604400，GaN 基互補型邏輯集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)研究，2022-2025，課題負(fù)責(zé)人。
    4. 中科院前沿科學(xué)重點研究項目，QYZDB-SSW-JSC012，GaN基功率器件與界面態(tài)物理，2016-2021，項目負(fù)責(zé)人。
    5. 中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進會優(yōu)秀會員項目，2016-2019，250萬元，項目負(fù)責(zé)人。
    6. 中國科學(xué)院-裘槎基金會聯(lián)合實驗室資助計劃項目，CAS22801，氮化鎵基極端溫度電子技術(shù)，2022-2025，項目負(fù)責(zé)人。

    代表論著：

  • 長期致力于高性能GaN基功率電子器件和物理研究，在超薄勢壘AlGaN/GaN增強型器件設(shè)計，PEALD-AlN鈍化，高溫柵槽刻蝕和高絕緣O3-Al2O3和PEALD-SiNx柵介質(zhì)工藝，以及大尺寸Si基GaN絕緣柵功率器件制造等方面取得一些較有國際影響力的創(chuàng)新成果。迄今在IEEE EDL/TED等電子器件知名期刊以及IEDM、ISPSD等微電子領(lǐng)域著名會議上發(fā)表論文100余篇，2篇入選ESI高被引論文。申請美國專利8項（授權(quán)6項），中國專利40余項（授權(quán)15項），部分技術(shù)成果已經(jīng)被企業(yè)使用。?

    1.?C. Feng, Q. Jiang, S. Huang*, X. Wang, and X. Liu, “Gate-Bias-Accelerated VTH Recovery on Schottky-Type p -GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 9, pp. 4591–4595, Sep. 2023, doi: 10.1109/TED.2023.3297568.?

    2.?K. Deng, S. Huang*, et al., “Insight into the suppression mechanism of bulk traps in Al2O3 gate dielectric and its effect on threshold voltage instability in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors,” Applied Surface Science, vol. 638, no. April, p. 158000, Nov. 2023, doi: 10.1016/j.apsusc.2023.158000.?

    3.?K. Deng, X. Wang, S. Huang*, et al., “Effective Suppression of Amorphous Ga2O and Related Deep Levels on the GaN Surface by High-Temperature Remote Plasma Pretreatments in GaN-Based Metal–Insulator–Semiconductor Electronic Devices,” ACS Applied Material & Interfaces, vol. 15, no. 20, pp. 25058–25065, May 2023, doi: 10.1021/acsami.3c03094.?

    4.?黃森等, “面向下一代GaN功率技術(shù)的超薄勢壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)功率器件,” 電子與封裝, vol. 23, no. 1, p. 010102, 2023, doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0021. (Invited)?

    5.?S. Huang, et al., “Ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure: An AlGaN-recess-free technology for fabrication of lateral GaN-based power devices,” in 2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), Mar. 2022, vol. 2, pp. 393–395, doi: 10.1109/EDTM53872.2022.9797960. (Invited)?

    6.?H. Jin, Q. Jiang, S. Huang*, et al., “An Enhancement-Mode GaN p-FET With Improved Breakdown Voltage,” IEEE Electron Device Letters, vol. 43, no. 8, pp. 1191–1194, Aug. 2022, doi: 10.1109/LED.2022.3184998.?

    7.?Y. Yao, S. Huang*, et al., “Identification of Semi-ON-State Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs by Drain Current Deep Level Transient Spectroscopy,” IEEE Electron Device Letters, vol. 43, no. 2, pp. 200–203, Feb. 2022, doi: 10.1109/LED.2021.3135900.?

    8.?Y. Yao, Q. Jiang, S. Huang*, et al., “Identification of bulk and interface state-induced threshold voltage instability in metal/SiNx(insulator)/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using deep-level transient spectroscopy,” Applied Physics Letters, vol. 119, no. 23, p. 233502, Dec. 2021, doi: 10.1063/5.0078367.?

    9.?L. Bi, Q. Jiang, S. Huang*, et al., “Impact of Vth Instability on Time-Resolved Characteristics of MIS-HEMT-Based GaN Power IC,” IEEE Electron Device Letters, vol. 42, no. 10, pp. 1440–1443, Oct. 2021, doi: 10.1109/LED.2021.3106785.?

    10.?F. Guo, S. Huang*, et al., “Suppression of interface states between nitride-based gate dielectrics and ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure with in situ remote plasma pretreatments,” Applied Physics Letters, vol. 118, no. 9, p. 093503, Mar. 2021, doi: 10.1063/5.0041421.?

    11.?X. Wang, Y. Zhang, S. Huang*, et al., “Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing,” ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 13, no. 6, pp. 7725–7734, Feb. 2021, doi: 10.1021/acsami.0c19483.?

    12.?K. Deng, X. Wang, S. Huang*, et al., “Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiN /III-nitride heterostructures,” Applied Surface Science, vol. 542, no. November 2020, p. 148530, Mar. 2021, doi: 10.1016/j.apsusc.2020.148530.?

    13.?S. Huang, et al., “An ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure: a recess-free technology for the fabrication and integration of GaN-based power devices and power-driven circuits,” Semiconductor Science and Technology, vol. 36, no. 4, p. 044002, Apr. 2021, doi: 10.1088/1361-6641/abd2fe. (Invited)?

    14.?S. Huang, et al., “Interface Charge Effects on 2-D Electron Gas in Vertical-Scaled Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 1, pp. 36–41, Jan. 2021, doi: 10.1109/TED.2020.3037272.?

    15.? Y. Zhang, S. Huang*, et al., “Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 43.6% Power-Added-Efficiency at 40 GHz Fabricated by Atomic Layer Etching Gate Recess,” IEEE Electron Device Letters, vol. 41, no. 5, pp. 701–704, May 2020, doi: 10.1109/LED.2020.2984663.?

    16.? R. Zhao, S. Huang*, et al., “Interface charge engineering in down-scaled AlGaN (<6 nm)/GaN heterostructure for fabrication of GaN-based power HEMTs and MIS-HEMTs,”Applied Physics Letters, vol. 116, no. 10, p. 103502, Mar. 2020, doi: 10.1063/1.5134886.??

    專利申請：

  • 1.?Sen Huang, et al., “GaN-based Power Electronic Device and Method for Manufacturing the Same,” 授權(quán)專利號：US10,062,775 B2，公告日：2018年8月28日。?

    2.?Sen Huang, et al., “Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same,” 授權(quán)專利號：US 10,749,021 B2，公告日：2020年8月18日。?

    3.?Sen Huang, et al., “GaN-BASED SUPERJUNCTION VERTICAL POWER TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF,” 授權(quán)專利號：US 11,289,594 B2，公告日：2022年3月29日。?

    4.?黃森等，“一種GaN基功率電子器件及其制備方法”，授權(quán)日：2019年2月1日，中國，專利號：ZL201610265883.8。?

    5.?黃森等，“增強型GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法”， 授權(quán)日：2019年3月15日，中國，專利號：ZL201610331114.3。?

    6.?黃森等，“GaN基單片功率變換器及其制作方法”，授權(quán)公告日：2020年9月15日，中國，專利號：ZL201711081965.8。?

    7.?黃森等，“GaN基單片功率逆變器及其制作方法”，授權(quán)公告日：2021年6月2日，中國，專利號：ZL201711081961.X。?

    8.?黃森等，“P型溝道GaN基結(jié)構(gòu)及電子器件”，授權(quán)公告日：2022年6月1日，中國，專利號：ZL201910265671.3。?

    9. 黃森等，“基于氮化鎵基增強型器件的探測器及其制作方法”，授權(quán)公告日：2023年5月2日，中國，專利號：ZL 201910732534.6。

    獲獎及榮譽：

  • 2016年入選中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進會成員，獲“中科院拔尖青年科學(xué)家”資助。?

    2019年獲國家自然基金委“優(yōu)秀青年基金”資助。?

    2020年獲中國科學(xué)院青促會“優(yōu)秀會員”基金滾動資助。?

    2021年獲得北京市朝陽區(qū)“鳳凰計劃”科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才資助。?

    2022年獲得中國電子學(xué)會自然科學(xué)二等獎。?

    2022年獲得中國儀器儀表學(xué)會技術(shù)發(fā)明二等獎。