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當(dāng)前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 王鑫華
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 所黨委委員 高頻高壓中心主任 中科院硅器件重點實驗室副主任
  • 學(xué)歷： 博士研究生
  • 電話： 010-82995681
  • 傳真： 
  • 電子郵件： wangxinhua@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件與集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2003.9—2007.7  南京理工大學(xué)   電子科學(xué)與技術(shù)    學(xué)士學(xué)位

    2007.9—2012.7  中國科學(xué)院微電子研究所  微電子與固體電子學(xué)  博士學(xué)位

    工作簡歷

    2012.7—2017.4  中國科學(xué)院微電子研究所  助理研究員，所團(tuán)委委員

    2017.4—2022.9  中國科學(xué)院微電子研究所  副研究員

    2022.9-至今     中國科學(xué)院微電子研究所  研究員

        其中，2017.5起所團(tuán)委副書記，2018.12起高頻高壓中心副主任，2021.10起高頻高壓中心主任。

    社會任職：

  • 中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會會員 

    中國電力企業(yè)聯(lián)合會電力集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會委員 

    研究方向：

  • III族氮化物微波功率器件 

    化合物半導(dǎo)體界面物理與異質(zhì)集成 

    承擔(dān)科研項目情況：

  • 1.國家重大科研儀器研制項目，“新型GaN電子器件低界面態(tài)介質(zhì)生長系統(tǒng)”項目，核心骨干（執(zhí)行負(fù)責(zé)人）； 

    2.國家自然科學(xué)基金青年項目，“兼容CMOS工藝的Ga2O3輔助GaN-to-Si異質(zhì)鍵合技術(shù)及機理研究”項目，項目負(fù)責(zé)人； 

    3.國家自然科學(xué)基金重點項目，“寬頻段全數(shù)字發(fā)信機設(shè)計理論與關(guān)鍵技術(shù)”項目，聯(lián)合單位課題負(fù)責(zé)人； 

    4.“AlN輔助生長器件研究”，項目負(fù)責(zé)人； 

    5.中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會會員項目； 

    6.中科院科技服務(wù)網(wǎng)絡(luò)（STS）區(qū)域重點項目，“硅基氮化鎵增強型電力電子核心器件與產(chǎn)業(yè)化”項目，項目負(fù)責(zé)人； 

    代表論著：

  • [1] Kexin Deng, Xinhua Wang*, et al. Effective suppression of deep interface states and dielectric trapping in SiNx/GaN metal-insulator-semiconductor structures by a SiOxNy interfacial layer grown by plasma-enhanced atomic layer deposition. Applied Surface Science, vol.607, p. 154937, 2023 

    [2] Xinhua Wang, et al. Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing. ACS Appl. Mater. Interfaces, vol. 13, no. 6, pp. 7725–7734, 2021. 

    [3]Kexin Deng+, Xinhua Wang+*, et al. Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiNx/III-nitride heterostructures. Applied Surface Science, vol. 542, p. 148530, 2021. 

    [4] Xinyu Liu+, Xinhua Wang+,*, et al. “Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,” ACS Appl. Mater. Interfaces，10(25), pp. 21721–21729 , 2018. 

    [5] Xinhua Wang, et al. Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer. IEEE Electron Device Letter, 36(7), p.666, 2015 

    [6] Wang Xinhua, et al. Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN/GaN Buffer. IEEE Transaction on Electron Device. 2014, 61(5),p. 1341 

    專利申請：

    獲獎及榮譽：

  • 2012年中國科學(xué)院院長優(yōu)秀獎 
    2015年度微電子研究所十佳先進(jìn)工作者 
    2020年中國科學(xué)院優(yōu)秀共青團(tuán)干部