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當(dāng)前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 王盛凱
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 教育處處長
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 010-82995539
  • 傳真： 010-62021601
  • 電子郵件： wangshengkai@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 教育處
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2008.10-2011.9 東京大學(xué) 材料工程系 博士?

    2006.9-2008.9 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 材料物理與化學(xué)系 碩士?

    2002.9-2006.8 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 材料物理與化學(xué)系 學(xué)士

    工作簡歷

    2023.11-至今? ? 中科院微電子研究所 研究員，教育處長?

    2022.1-2022.12 中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室 副主任?

    2020.7-2023.11 中國科學(xué)院微電子研究所 研究員，課題組長?

    2015.8-2020.7　中國科學(xué)院微電子研究所 副研究員，課題組長?

    2015.4-2015.7　東京大學(xué)　材料工程系　公派訪問學(xué)者?

    2013.10-2015.3 中國科學(xué)院微電子研究所 副研究員?

    2011.10-2013.9 中國科學(xué)院微電子研究所 助理研究員

    社會任職：

  • 1.書系Frontiers in Semiconductor Technology (Taylor & Francis), 主編 (2021-至今)


    2.國際固態(tài)薄膜會議(IWDTF)，程序委員會委員(2020-至今)

    研究方向：

  • 面向3D-DRAM的氧化物晶體管器件、半導(dǎo)體器件可靠性?

    學(xué)生指導(dǎo)：

    長期招收集成電路相關(guān)領(lǐng)域(微電子、物理、材料)研究生

    指導(dǎo)學(xué)生多人次獲國際論文獎、院長優(yōu)秀獎、研究生國家獎學(xué)金、赴世界著名大學(xué)深造等

    承擔(dān)科研項目情況：

  • 1.?中國科學(xué)院青年促進(jìn)會優(yōu)秀會員項目，(2022-2024)，在研，主持?

    2.?國家重點研發(fā)計劃“超寬變頻、高可靠性的LTPO顯示驅(qū)動電路”-課題, (2022-2025), 在研，主持

    3.?基金重點項目，碳管MOSFET界面，(2021-2024), 在研，主持?

    4.?國家自然科學(xué)基金面上基金項目(62174176)，基于低溫原子氧化的SiC MOSFET低界面態(tài)柵氧制造技術(shù)研究，（2022-2025），在研，主持?

    5.?國家自然科學(xué)基金面上基金項目(61974159)，基于有效離子半徑理論的SiC MOSFET柵介質(zhì)與界面配位調(diào)控研究，（2020-2023），在研，主持?

    6.?中國科學(xué)院科研儀器研制項目（YJKYYQ20200039），低界面態(tài)、高可靠性SiC MOSFET柵氧高壓微波等離子體生長系統(tǒng)，（2021-2022），在研，主持?

    7.?基金項目，柔性發(fā)電技術(shù)，(2020-2022), 在研，主持?

    8.?中國科學(xué)院青年促進(jìn)會項目，(2017-2020)，已結(jié)題，主持?

    9.?中國工程物理研究院聯(lián)合研發(fā)項目3項，(2016-2020) ，已結(jié)題，主持?

    10. ASIC國家重點實驗室開放課題，仿生神經(jīng)元器件及細(xì)胞生物電行為模擬(2018-2019) ，已結(jié)題，主持?

    11. 中國科學(xué)院重點實驗室開放課題，二元系鐵電氧化物極化行為研究，(2015-2016) ，已結(jié)題，主持?

    12. 國家自然科學(xué)基金青年基金項目(61204103) ，Ge-MOS 技術(shù)中鑭系復(fù)合高k介質(zhì)與GeO2/Ge 界面調(diào)控的研究，（2013-2015），已結(jié)題，主持?

    13. 中國科學(xué)院人才基金重點項目-基于光子晶體技術(shù)的硅基鍺紅外探測器研究（2013-2014），已結(jié)題，主持???

    參與科研項目情況：?

    1.國家重點研發(fā)計劃(2016YFA0202304)課題“二維原子晶體的材料制備和器件驗證”（2016-2021）?

    2.國家973項目（2010CB327500）課題“超高頻化合物基CMOS器件和電路研究”（2010-2014）?

    3.國家973項目（2011CBA00600）課題“超低功耗高性能集成電路器件與工藝基礎(chǔ)研究”（2011-2015）?

    4.國家02科技重大專項課題（2011ZX02708-003）“高遷移率CMOS新結(jié)構(gòu)器件與工藝集成研究”（2011-2014）?

    代表論著：

  • 發(fā)表論文120+篇，出版學(xué)術(shù)專著2部，譯著1部

    1.?J. Wang, Z. Bai, K. Zhang, Z. Wu, D. Geng, Y. Xu, N. You, Y. Li, G. Yang, L. Li*, S. K. Wang*, M. Liu, Ge-

    doped In2O3: First Demonstration of Utilizing Ge as Oxygen Vacancy Consumer to Break the?

    Mobility/Reliability Tradeoff for High Performance Oxide TFTs, VLSI Symp, (2024) T12.2.

    2.?J. Wang, K. Zhang, Y. Li, N. You, Y. Xu, L. Li, S.-K. Wang*, Effect of Atmosphere Dependent Annealing?

    on?the Electrical Characteristics of a-In2O3 Thin-film Transistors, IEEE Trans. Electron Device, 71, 1932?

    (2024)

    3.?N. You, X. Liu, Q. Zhang, Z. Wang, J. Wang, Y. Xu, X. Li, Y. Guo, S.-K. Wang*, Enhanced quality of?

    Al2O3/SiC gate stack via microwave plasma annealing, Rare Metals,（2024）?

    https://doi.org/10.1007/s12598-024-02781-y

    4.?N. You, Q. Zhang, J. Wang, Y. Xu, K. Zhang, Y. Li, S.-K. Wang*, Utilizing High-Pressure Microwave?

    Plasma Oxidation for Advanced SiC MOS, IWDTF2023 (Awarded the Young Researcher Award: N. You)

    5.?Q. Zhang, N. You*, P. Liu, J. Wang, Y. Xu, S.-K. Wang*, Study of defects distribution in SiO2/SiC with?

    plasma oxidation and post oxidation annealing, Applied Surface Science, 610, 155500 (2023).

    6.?S. K. Wang, Kinetic studies in GeO2/Ge system, CRC Press, Taylor Francis Publisher, 2022. (專著)

    7.?S. K. Wang, X. L. Wang, MOS interface physics, process and characterization, CRC Press, Taylor?

    Francis Publisher, 2021. (專著)

    8.?N. N. You, X. Y. Liu, Y. Bai, P. Liu, Q. Zhang, Y. Zhang, S.-K. Wang*, Oxidation Kinetics of SiC in

    Microwave Oxygen Plasma, Applied Surface Science, 562, 150165 (2021).

    9.?Y. Xu, S. K. Wang*, P. L. Yao, Y. H. Wang, D. P. Chen, An air-plasma enhanced low-temperature wafer?

    bonding method using high-concentration water glass adhesive layer, Applied Surface?

    Science500,144007?(2020)

    10.?S. K. Wang*,?Q. Huang, J. Zhao, Y. Zhou, X. L. Zhao, P. L. Yao, X. Y. Liu, X. L. Liang,?Electro-

    chemiresistive Functionalization of SWCNT-TFT by PCz and Its Electronic Hourglass Application with Zero-

    static Power Consumption, ACS Appl. Energy Mater., 2(11), 8253 (2019).

    11.?Z. Y. Peng,?S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu*, High Temperature?

    1MHz Capacitance-Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4H-SiC MOS System, J. Appl. Phys.,?

    123, 135302 (2018).

    12.?S.-K. Wang*, B. Sun, M.-M. Cao, H.-D. Chang, Y.-Y. Su, H.-O. Li, and H.-G. Liu*, Modification of?

    Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, J. Appl. Phys., 121, 184104 (2017).

    13.?S. K. Wang*,?Germanium and III-Vs for future logic (Invited),?Comp. Semi. Int. 2017, Brussels Belgium,?

    (March 7-8, 2017)

    14.?S. K. Wang*, H. G. Liu, Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces (Book chapter), in?

    book entitled Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges, Springer?

    Publisher, 2017.

    15.?S. K. Wang*, Turbo charging the channel (Invited), Compound Semiconductor, 1, 22-30 (2016).

    16.?S. K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu, Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by

    low-temperature thermal process, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).

    17.?X. Yang,?S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*, Al2O3/GeOx?

    gate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method, Appl. Phys. Lett.,?

    105, 092101 (2014).

    18.?S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System?

    Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Appl. Phys. Lett., 101, 061907 (2012).

    19.?S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Kinetic Effects of Oxygen Vacancy?

    Formed by GeO2/Ge Interfacial Reaction, IWDTF 2011 (Awarded the Young Researcher Award).

    20.?S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Isotope tracing study of GeO desorption

    mechanism from GeO2/Ge stack using 73Ge and 18O, Jpn J. Appl. Phys., 50(4), 04DA01 (2011).

    21.?S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Desorption

    kinetics?of GeO from GeO2/Ge structure, J. Appl. Phys., 108, 054104 (2010).

    22.?K. Kita*, S. K. Wang, M Yoshida, C. H. Lee, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi, Comprehensive ?

    study?of GeO2 oxidation, GeO desorption and GeO2-metal interaction -understanding of Ge processing?

    kinetics for perfect interface control-, Tech. Dig. IEDM, 29.6, 693 (2009).

    專利申請：

  • 100+項專利申請，授權(quán)50+項，對外許可8項（含美國專利6項)?

    代表授權(quán)發(fā)明專利?

    1.Shengkai Wang, et al., Composite Gate Dielectric Layer Applied to Group III-V Substrate and Method for Manufacturing the same, 2019.1.29, US 15/539,597?

    2.Shengkai Wang, et al., Dual-Gate PMOS Field Effect Transistor With InGaAs Channel, 2020.2.26，US 15/539,478?

    3.王盛凱 等，腔式多層膜駐極體發(fā)電機結(jié)構(gòu)及其制備方法、供能系統(tǒng)，2020.6.19，中國，ZL 201910236299.3?

    4.王盛凱 等，納米發(fā)電機倍頻輸出結(jié)構(gòu)及供能器件，2020.4.21，中國，ZL 201810263391. 4?

    5.王盛凱 等,?一種鍺納米線疊層結(jié)構(gòu)的制作方法，2016.8.17，中國，ZL 201310741585.8?

    獲獎及榮譽：

  • 1.?2021, 中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會優(yōu)秀會員?

    2.?2020, 北京市技術(shù)發(fā)明二等獎 “高電流密度SiC電力電子器件”?

    3.?2017, 中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會會員?

    4. 2011，Young Researcher Award, IWDTF, Japan.?