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當(dāng)前位置 首頁 人才隊(duì)伍
  • 姓名： 蘇永波
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 副主任
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 010-82995597
  • 傳真： 
  • 電子郵件： suyongbo@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件與集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)

    簡　　歷：

  • 教育背景   

    2001年9月—2005年7月    河北省河北工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院   微電子學(xué)與固體電子學(xué)    本科學(xué)習(xí)，獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)士學(xué)位。 

    2006年9月—2011年7月   中國科學(xué)院微電子研究所   微電子學(xué)與固體電子學(xué)   博士研究生學(xué)習(xí)，獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位。 

     

    工作簡歷

    2011年7月—2014年12月  中國科學(xué)院微電子研究所  微波器件與集成電路研究室， 

    任職 助理研究員，從事InP高頻器件及MMIC工藝開發(fā)工作; 

    2014年12月至2017年6月  中國科學(xué)院微電子研究所   高頻高壓中心， 

    任職 副研究員，從事InP基高頻器件及MMIC研發(fā)工作; 

    2017年6月至2018年12月  中國科學(xué)院微電子研究所   高頻高壓中心， 

    任職 副研究員、課題組長,  從事InP基高頻器件及MMIC研發(fā)工作，管理課題組綜合事務(wù); 

    2018年12月至2021年7月  中國科學(xué)院微電子研究所   高頻高壓中心， 

    任職 中心副主任、副研究員，從事InP基高頻器件及MMIC研發(fā)工作，協(xié)助中心主任管理研發(fā)中心綜合事務(wù); 

    2021年7月 至今  中國科學(xué)院微電子研究所   高頻高壓中心， 

    任職 研究員、中心副主任，從事InP基高速器件及MMIC研發(fā)工作，協(xié)助中心主任管理研發(fā)中心綜合事務(wù)。 

    社會(huì)任職：

  •  

    研究方向：

  • 長期從事InP基微波毫米波器件與集成電路研究工作，具有深厚的理論基礎(chǔ)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。 

    器件及電路工藝方面，開發(fā)了InP HBT三臺(tái)面器件的BCB平坦化工藝、InP材料的ICP干法刻蝕工藝，實(shí)現(xiàn)了0.5μm發(fā)射極寬度的器件，研制出針對(duì)毫米波功率放大器設(shè)計(jì)以及針對(duì)超高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)的InP DHBT晶體管，器件截止頻率超過250GHz，最高振蕩頻率大于600GHz，建立了具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的2~3英寸InP HBT MMIC整套工藝流程，其中關(guān)鍵工藝包括發(fā)射極基極金屬自對(duì)準(zhǔn)、ICP干法刻蝕、BCB平坦化、TaN電阻薄膜濺射、CVD生長SiN介質(zhì)，MMIC整套工藝中集成了InP HBT晶體管、TaN電阻、SiN MIM電容、螺旋電感、CPW傳輸線，滿足毫米波集成電路與超高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)與制作，從工藝方面建立了成熟可靠的InP HBT器件工藝流程。在器件模型方面，依據(jù)InP HBT器件研制工藝，建立了InP HBT大信號(hào)模型庫，開發(fā)了基于InP HBT的電路設(shè)計(jì)套件，具備DRC、LVS功能，應(yīng)用于InP HBT相關(guān)項(xiàng)目中的3mm以及超高速電路設(shè)計(jì)；基于研發(fā)的InP HBT MMIC工藝以及電路設(shè)計(jì)開發(fā)套件設(shè)計(jì)并研制了500MHz~62GHz靜態(tài)分頻器系列電路、10MHz~67GHz寬帶混頻器芯片、20Gbps DEMUX等超高速數(shù)?；旌闲酒?/span> 

    承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

  • 2014年1月~2016年12月，自然基金項(xiàng)目“基于低頻噪聲機(jī)理分析的InP HBT可靠性研究” 已結(jié)題 27萬元 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人  

    2016年1月~2018年12月，高技術(shù)項(xiàng)目“InP DHBT 高速電路”  已結(jié)題 600萬元項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 

    2017年1月~2019年12月，高技術(shù)項(xiàng)目“混頻器” 已結(jié)題 163萬元 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 

    2019年1月~2024年12月，高技術(shù)項(xiàng)目 “InP基太赫茲器件研究”執(zhí)行中 1108萬元 子課題負(fù)責(zé)人 

    2013年1月~2015年12月，高技術(shù)項(xiàng)目 “InP HBT電路關(guān)鍵技術(shù)”已結(jié)題  200萬元 項(xiàng)目骨干 

    2014年1月~2016年12月，01專項(xiàng) “InP低噪聲和功率MMIC”已結(jié)題  604萬元 項(xiàng)目骨干 

    2014年7月~2017年12月，高技術(shù)項(xiàng)目 “10MHz~50GHz寬帶混頻器”已結(jié)題  740萬元 項(xiàng)目骨干

    代表論著：

  • 1、Su Yongbo, Jin Zhi, Cheng Wei, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “Ultra High-Speed InP/InGaAs DHBTs with ft of 203GHz”, Journal of Semiconductors, Vol.30, No.1, 2009, pp.014002-1~014002-3 

    2、Su Yongbo, Jin Zhi, Cheng Wei, Ge Ji, Wang Xintai, Chen Gaopeng, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “An InGaAs/InP 40GHz CML static Frequency divider”, Journal of Semiconductors, Vol.32, No.3, 2011, pp.035008-1~035008-4 

    3、 Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “Common-base Multi-finger Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction bipolar transistor with fmax of 305GHz”, Solid-State Electronics, 2008, 52, pp.1825-1828 

    4、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft=170GHz and fmax=253GHz”, Chineses Physics Letters, Vol.25,  No.7, 2008, pp.2686-2689 

    5、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High Current Multi-finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with the Maximum Oscillation Frequency 253GHz ”, Chineses Physics Letters, Vol.25, No8, 2008, pp.3075-3078 

    6、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High Speed InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage ”, Chineses Physics Letters, Vol.25, No.7, 2008, pp.2683-2685 

    7、Zhi Jin, Yongbo Su, Jianwu Chen, Xinyu Liu, Dexin Wu, “Study of AlN dielectric film on grapheme by Raman microscopy”, Applied Physics Letters 95, 1 (2009) 

    8、 Wenxiang Zhen, Shurui Cao, Yongbo Su*, Zhi Jin, A Novel Design Method of SOF for InP DHBT ECL and CML Static Frequency Dividers. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. VOL. 31, NO. 6, June 2021. SCI，IF:2.864 

    9、WX Zhen, Yongbo Su*, Z Jin*. et. al. “A 25-GSa/s InP DHBT Track-and-Hold Amplifier using Active Peaking Input Buffer ” 2021. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. SCI，IF:2.864。 

    10、Hua Xu, Wenxiang Zhen, Shurui Cao, Yongbo Su* and Zhi Jin*. A wideband InP Gilbert-cell mixer using current bleeding and capacitive degeneration technique. IEICE Electronics Express, 2021 Vol.18, No. 13,1-6. SCI. IF:0.57 (DOI:10.1587/elex.18.20210225) 

    專利申請(qǐng)：

    獲獎(jiǎng)及榮譽(yù)：

  • 2019年榮獲科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)（第2完成人） 

    2019年榮獲優(yōu)秀黨群干部 

    2017年度中科院微電子所十佳先進(jìn)工作者 

    2014年入選中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)會(huì)員 

    2012年度、2014年度所優(yōu)秀員工