教育背景:
2011年 - 2015年,新加坡南洋理工大學(xué) / 新加坡IME A*Star,博士,微電子學(xué) / 光子學(xué)
工作簡歷:
2021年3月至今,中科院微電子所,集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心,研究員
2018年7月-2021年3月,中科院微電子所,集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心,副研究員
2017年 - 2018年,新加坡南洋理工大學(xué),Research Fellow
2016年 - 2017年,美國Inphi公司,Staff R&D Engineer
2015年 - 2016年,美國Inphi公司,Senior R&D Engineer
硅基光電子集成芯片、2.5D/3D硅基光電子集成
1. 國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目,6xxx萬,主持
2. 國家自然科學(xué)基金,面上基金, 75.2萬元,主持
3. xx領(lǐng)域基金,300萬元,主持
4. 國家自然科學(xué)基金,重點(diǎn)基金, 100萬元,單位任務(wù)負(fù)責(zé)人
5. 國家自然科學(xué)基金,青年基金, 27.6萬元,主持
6. 中科院人才項(xiàng)目,280萬元,主持
7. 中科院所長基金,50萬元,主持
8. 領(lǐng)域基金,100萬元,子課題負(fù)責(zé)人
第一發(fā)明人專利受理:
2021:
一種電光調(diào)制器,202110796025.7
一種光電探測器,202110797165.6
一種芯片,202110540846.4
一種低功耗熱光器件及其制作方法,202110224733.3
一種光學(xué)器件測試結(jié)構(gòu)及其制作方法,202110189580.3
一種集成電路,202110181478.9
一種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的參數(shù)優(yōu)化方法,202110161344.0
一種光器件,202110050446.5
2020:
Method for manufacturing silicon optical interposer, method for manufacturing three-dimensional structure, method for integrating surface-electrode ion trap and silicon photoelectronic device, integrated structure, and three dimensional structure,SG 11202012334S
Method for integrating surface-electrode ion and silicon photoelectronic device, integrated structure, and three dimensional structure,US 17/121,396
一種光器件,2020112724156.6
一種光器件及其制造方法,202011467514.X
一種電光器件及其制造方法,202011460458.7
一種電光器件及其制造方法,202011460459.1
一種熱光器件及其制造方法,202011460354.6
一種熱光器件及其制造方法,202011460359.9
一種半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件,202011232024.1
一種銅互連線的制造方法及半導(dǎo)體器件,202011132578.4
一種光器件及其制作方法,202011432709.0
一種銅再布線層的制造方法、硅光器件及芯片,202011142132.X
2019:
3D Integration architecture and process of silicon optical addressing and detection of ion qubit,PCT/CN2019/119912
一種硅光轉(zhuǎn)接板及三維架構(gòu)的集成方法 201911120086.0
一種柵格形銅電極結(jié)構(gòu)及其制備方法 201911149972.6
表面電極離子阱與硅光尋址及探測器、及架構(gòu)的集成方法 201911121046.8
一種表面電極離子阱與硅光器件的集成結(jié)構(gòu)及三維架構(gòu) 201911120744.6
2018:
Architecture Of Si Photonics/TSV Interposer And Ion Trapping For Scalable Quantum Computing, Singapore Patent No. 10201800666V
人才隊(duì)伍