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當(dāng)前位置 首頁 人才隊(duì)伍
  • 姓名： 李彬
  • 性別： 男
  • 職稱： 副研究員
  • 職務(wù)： 
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 010-82995919
  • 傳真： 
  • 電子郵件： libin1@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 先導(dǎo)中心光子器件與集成技術(shù)部
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景
    2012.09-2016.10 北京交通大學(xué) 光學(xué)工程 博士
    工作簡歷
    2016.11-2019.01 中國科學(xué)院微電子研究所 博士后
    2019.02-至今 中國科學(xué)院微電子研究所 副研究員

    社會任職：

    研究方向：

  • 硅基光電集成技術(shù)

    承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

    代表論著：

  • 1. Bin Li, Bo Tang, Peng Zhang, Jinzhong Yu, Xinyu Liu, Zhihua Li. Optimized fabrication of wafer-level Si waveguides based on 200-mm CMOS platform. Optik, 2018, 172: 777-782.

    2. Bin Li, Bo Tang, Peng Zhang, Daoqun Liu, Ruonan Liu, Zhangyu Zhou, Jinzhong Yu, and Zhihua Li. Silicon Photonics Technology on 200-mm CMOS Platform for High Integration Applications. Proc. SPIE 10814, Optoelectronic Devices and Integration VII, 1081412 (5 November 2018).

    3. Bin Li, Hailong Wang, Dongzhan Zhou, Zuofu Hu, Huaihao Wu, Song Gao, Yunfei Peng, Lixin Yi, Xiqing Zhang, Yongsheng Wang. Effect of annealing temperature on the electrical properties of InZnLiO thin film transistors. Solid-State Electronics, 2015, 111: 18-21.

    4. Bin Li, Hailong Wang, Dongzhan Zhou, Zuofu Hu, Huaihao Wu, Yunfei Peng, Lixin Yi, Xiqing Zhang, Yongsheng Wang. Preparation and the electrical properties of InZnLiO thin film transistor by radio frequency magnetron sputtering. Materials Letters, 2014, 137: 82-84.

    5. 于威(*), 李彬(#), 郭少剛, 詹小舟, 丁文革, 傅廣生. 氫稀釋對FTS沉積a-Si:H薄膜結(jié)構(gòu)特性的影響. 光子學(xué)報, 2012, 41(03): 307-310.

    專利申請：

  • 1. 李彬, 唐波, 李志華, 張鵬, 余金中. 半導(dǎo)體器件與其制作方法、集成芯片與其制作工藝, 中國, 201810879487.3.

    2. 李彬, 李志華, 唐波, 張鵬, 王桂磊, 楊妍, 劉若男. 半導(dǎo)體器件與其制作方法, 中國, 201811526241.4.

    3. 張希清(*), 李彬, 王海龍, 周東站, 彭云飛, 高聳, 衣立新,  王永生. 一種氧化銦基薄膜晶體管及其制作方法, ZL201310195082.5.

    獲獎及榮譽(yù)：