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當(dāng)前位置 首頁 人才隊(duì)伍
  • 姓名： 陳曉娟
  • 性別： 女
  • 職稱： 正高級(jí)工程師
  • 職務(wù)： 
  • 學(xué)歷： 碩士
  • 電話： 
  • 傳真： 
  • 電子郵件： chenxiaojuan@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件與集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)

    簡　　歷：

  • 教育背景 

    1998-2002 西北大學(xué) 電子信息系 工學(xué)學(xué)士 

    2002-2005 中國科學(xué)院微電子研究所 微電子學(xué)與固體電子學(xué)工學(xué)碩士 

    工作簡歷 

    2005年-2009年，中國科學(xué)院微電子研究所微電子微波功率電路與器件研究室工作，任Ku波段GaN功率器件課題組組長、助理研究員 

    2009年-2022年，中國科學(xué)院微電子研究所高頻高壓中心工作、副研究員，碩士生導(dǎo)師 

    2022年-至今，中國科學(xué)院微電子研究所高頻高壓中心工作、正高級(jí)工程師，碩士生導(dǎo)師 

    社會(huì)任職：

    研究方向：

  • 寬禁帶半導(dǎo)體器件模型、工藝、電路設(shè)計(jì)與測試技術(shù) 

    承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

  • 1. 高壓GaN功率器件及可靠性，國家科技重大專項(xiàng)，課題骨干 

    2. GaN功率器件及MMIC 國家科技重大專項(xiàng) 課題骨干 

    3. 功率器件及MMIC，國家科技重大專項(xiàng)，課題技術(shù)負(fù)責(zé)人 

    4. 5G通信模組   課題骨干 

    代表論著：

  • 1.C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件  半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005 

    2.基于FC技術(shù)的AlGaN/GaN HEMT  半導(dǎo)體學(xué)報(bào) 2005 

    3.基于GaAs工藝的超寬帶混合集成功率放大器 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)  2018 

    4.30～2600 MHz 超寬帶GaN 功率放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 半導(dǎo)體器件 2015 

    5.A 24W Ku band GaN based power amplifier with 9.1dB linear gain  Microelectronics Journal    2012 

    6.A Ka-band 22 dBm GaN amplifier MMIC Journal of Semiconductors   2011 

    專利申請(qǐng)：

  •  

    獲獎(jiǎng)及榮譽(yù)：