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當(dāng)前位置 首頁 人才隊(duì)伍
  • 姓名： 湯益丹
  • 性別： 女
  • 職稱： 副研究員
  • 職務(wù)： 
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 010-82995593
  • 傳真： 010-62021601
  • 電子郵件： tangyidan@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件及集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2003.09-2007.07? 湖南師范大學(xué)? 通信工程? 學(xué)士 ；? ?

    2007.09-2010.07? 北京工業(yè)大學(xué) 微電子學(xué)與固體電子學(xué) 工學(xué)碩士? ?

    2016.09-2020.01? 中國科學(xué)院大學(xué) 微電子學(xué)與固體電子學(xué) 工學(xué)博士? ?

    工作簡歷?

    2020.07-至今? ??中科院微電子所?? 副研究員?

    2013.10-2020.07? 中科院微電子所?? 助理研究員?

    2010.07-2013.10? 中科院微電子所?? 研究實(shí)習(xí)員?


    社會任職：

    研究方向：

  • 寬禁帶半導(dǎo)體器件研發(fā)、半導(dǎo)體缺陷科學(xué)與工程研究

    承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

  • 主持國家科技重大02專項(xiàng)和廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃任務(wù)級項(xiàng)目，參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、自然基金、院STS、企業(yè)等項(xiàng)目共計(jì)10余項(xiàng)。

    代表論著：

  • 近5年以第一作者身份發(fā)表論文12篇，通信作者身份2篇，代表論著如下：?

    [1] Yidan Tang*, Lan Ge, Hang Gu, Yun Bai, Yafei Luo, Chengzhan Li, Xinyu Liu. Degradation in electrothermal characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes under high temperature power cycling stress. Microelectron. Reliab. 102 113451, 2019 .?

    [2] Yi-Dan Tang*, Xin-Yu Liu* , Zheng-Dong Zhou, Yun Bai, and Cheng-Zhan Li. Defects and electrical properties in Al-implanted 4H–SiC after activation annealing. Chin. Phys. B. Vol. 28, No. 10 106101, 2019. ?

    [3] Yidan Tang*, Shengxu Dong, Yun Bai, Chengyue Yang, Chengzhan Li, Xinyu Liu. Mechanisms and Characteristics of Large-Area High-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes. Materials Science Forum. Vol. 963, pp 562-566. 2019. ?

    [4] Yidan Tang*, Xinyu Liu, Yun Bai, Shengxu Dong, Shaodong Xu. Study of Temperature-dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers. Materials Science Forum. Vol. 924, pp 589-592. 2018. ?

    [5] Yidan Tang*, Xinyu Liu*, Yun Bai, Chengzhan Li, Chengyue Yang. High-Temperature Reliability Analysis of 1200 V/100 A 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes. Materials Science Forum, Vol. 1004, pp 1004-1009. 2020.

    專利申請：

  • 以第一、二發(fā)明人或技術(shù)聯(lián)系人，授權(quán)發(fā)明專利19項(xiàng)，其中美國3項(xiàng)，代表性專利如下：?

    [1] 湯益丹 申華軍 白云 李博 周靜濤 劉煥明 楊成樾 劉新宇.，專利“多能離子注入實(shí)現(xiàn)階梯狀摻雜濃度分布的方法”，ZL201110412636.32. （已授權(quán)）.?

    [2] 湯益丹 申華軍 白云 周靜濤 楊成樾 劉新宇 李誠瞻 劉國友，專利“碳化硅MOSFET器件及其制造方法”，專利號：ZL201510574417.3. （已授權(quán)）.?

    [3] Yidan TANG* Huajun SHEN Yun BAI et al. “SILICON CARBIDE MOSFET DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”, PCT/CN2015/089335. US Patent：US 10,680,067. 美國授權(quán)專利.?

    [4] Xinyu Liu Yidan TANG* Shengkai Wang et al.“MICROWAVE PLASMA GENERATING DEVICE FOR PLASMA OXIDATION OF SIC”, US Patent ：US 10, 734, 199.? 美國授權(quán)專利.?

    [5] Xinyu Liu Yidan TANG* Shengkai Wang et al. “METHOD FOR MANUFACTURING GROOVED MOSFET DEVICE BASED ON TWO-STEP MICROWAVE PLASMA OXIDATION”, US Patent: US 10,763,105. 美國授權(quán)專利.

    獲獎(jiǎng)及榮譽(yù)：

  • 2016-2018年中科院微電子所博士榮譽(yù)獎(jiǎng)學(xué)金，特等獎(jiǎng)學(xué)金；?

    2018年中科院微電子所“優(yōu)秀個(gè)人”；?

    2019年中科院微電子所“科研新星”三等獎(jiǎng)；?

    2019年北京市科學(xué)技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)，No.2019-F01-2-02-R09；