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當(dāng)前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 陳睿
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： +86-10-82995770
  • 傳真： +86-10-82995684
  • 電子郵件： chenrui1@ime.ac.cn
  • 所屬部門： EDA中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2010年2月-2015年2月，美國紐約州立大學(xué)布法羅分校，電子工程系，博士

    2009年9月-2011年2月，美國紐約州立大學(xué)布法羅分校，電子工程系，碩士

    2004年9月-2008年6月，南京理工大學(xué)，電子信息工程系，學(xué)士

    工作簡歷

    2021年4月-至今，中國科學(xué)院微電子研究所，研究員

    2018年1月-2021年3月，中國科學(xué)院微電子研究所，副研究員

    2015年5月-2018年1月，美國格羅方德紐約研發(fā)中心，高級工程師

    社會任職：

    研究方向：

  • 從事制造EDA工具開發(fā)、前沿基礎(chǔ)研究，以及產(chǎn)業(yè)化，主要研究方向包括：

    1.先進集成電路智能制造與仿真工具


    2.集成電路材料計算與機器學(xué)習(xí)方法

    3.人工智能驅(qū)動原子級制造仿真技術(shù)

    承擔(dān)科研項目情況：


  • 1、北方集創(chuàng)項目，面向先進制程的TCAD工藝器件仿真與工藝驗證，2023-2025，項目負(fù)責(zé)人

    2、所人才計劃，人工智能驅(qū)動集成電路工藝器件TCAD仿真， 2023-2025，項目負(fù)責(zé)人

    3、國家重點研發(fā)計劃，顯示應(yīng)用中薄膜晶體管及有機發(fā)光二極管器件工藝全流程仿真技術(shù)，2023-2026，任務(wù)負(fù)責(zé)人

    4、院先導(dǎo)項目，集成電路基礎(chǔ)器件仿真軟件與系統(tǒng)集成設(shè)計，2023-2025，核心骨干

    5、國家自然科學(xué)基金面上項目，集成電路關(guān)鍵圖形工藝的模型研究，2019-2022

    6、中國科學(xué)院高層次人才引進計劃，2018-2023，項目負(fù)責(zé)人

    7、HW合作項目，先進技術(shù)節(jié)點ALE仿真模型及工藝驗證，2021-2022，項目負(fù)責(zé)人

    8、京東方合作項目，PECVD輪廓仿真軟件開發(fā)，2020-2021，項目負(fù)責(zé)人

    9、院先導(dǎo)項目，計算光刻工藝模型和版圖優(yōu)化，2021-2023，核心骨干



    代表論著：

  • 代表性論文：

    1. Ziyi Hu, Hua Shao, Junjie Li, et al., Rui Chen*, Yayi Wei*, Modeling of Micro-trenching and Bowing Effects in Nano-scale Si Inductively Coupled Plasma Etching Process, Journal of Vacuum Science & Technology A, 41(6) (2023)

    2.?Enxu Liu, Junjie Li*, Na Zhou, et al., Rui Chen*, Study of Selective Dry Etching Effects of 15-Cycle Si0.7Ge0.3/Si Multilayer Structure in Gate-All-Around Transistor Process, Nanomaterials, 13(14):2127 (2023)

    3.?Hua Shao, Rui Chen*, Lisong Dong, Chen Li, Qi Yan, Taian Fan, and Yayi Wei*, High Accuracy Simulation of Silicon Oxynitride Film Grown by Plasma ????Enhanced Chemical Vapor Deposition, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 35(2): 309-317 (2022)


    ?

    專利申請：

  • 1.Mark structure for aligning layers of integrated circuit structure and methods of forming same, US Patent 10,566,291, 2020.?

    2.Interconnects with cuts formed by block patterning, US Patent 10319626, 2019.?

    3.Multiple patterning with variable space mandrel cuts, US Patent 10566195, 2020.?

    4.Asymmetric overlay mark for overlay measurement, US Patent 10707175 ,2020.?

    5.Isolation pillar first gate structures and methods of forming same, US Patent 10600914, 2020.?

    6.一種提高柵極均勻性的工藝, CN201911021285.6.?

    7.金屬柵極的制造方法, CN201911021283.X?

    8.一種自對準(zhǔn)雙重圖形的制備方法、硬掩模圖案, CN201910536868.6?

    9.一種先進節(jié)點后端金屬通孔的制造工藝, 202010417361.1?

    10. 一種提高后段金屬線通孔的工藝窗的方法, 202010417479.4?

    獲獎及榮譽：

  • 2023年?中國科學(xué)院青年國際合作人才

    2023年?微電子所優(yōu)秀員工

    2022年 微電子所“研究生喜愛的導(dǎo)師”

    2021年 南京市“講理想、比貢獻(xiàn)”先進個人

    2021年 微電子所先導(dǎo)中心“科研之星”

    2020年 微電子所優(yōu)秀員工

    2018年 中國科學(xué)院海外人才引進