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當(dāng)前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 李俊杰
  • 性別： 男
  • 職稱： 高級工程師
  • 職務(wù)： 
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 010-82995794
  • 傳真： 010-82995783
  • 電子郵件： lijunjie@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 先導(dǎo)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景：

    2018-2021 中國科學(xué)院微電子研究所，微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，工學(xué)博士 

    2004-2007 北京航空航天大學(xué)，信息功能材料，工學(xué)碩士 

    2000-2004 武漢理工大學(xué)，材料科學(xué)與工程，工學(xué)學(xué)士
    工作簡歷：

    2013-至今 中國科學(xué)院微電子研究所  高級工程師  中國科學(xué)院技術(shù)支撐人才 碩士生導(dǎo)師 

    2007-2013 北方華創(chuàng)（原北方微電子）  產(chǎn)品經(jīng)理

    社會任職：

  •  

    研究方向：

  •  先導(dǎo)刻蝕技術(shù)，納米器件及關(guān)鍵工藝，紅外傳感/探測器技術(shù)

    承擔(dān)科研項目情況：

  • 2021.1-2024.12 中科院先導(dǎo)C類先導(dǎo)專項，3-1nm關(guān)鍵工藝模塊子課題負責(zé)人

    2021.9-2023.9  中國科學(xué)院儀器設(shè)備功能開發(fā)技術(shù)創(chuàng)新項目，課題負責(zé)人 

    2022.1-2025.12 中國科學(xué)院技術(shù)支撐人才項目（工程類），課題負責(zé)人 

    2022.1-2023.6   橫向課題/SiGe/Si選擇性刻蝕與納米溝道釋放，課題負責(zé)人 

    2019.1-2021.12 北京科委項目 紅外探測器關(guān)鍵技術(shù)，項目骨干 

    2013.9-2017.9  國家02專項 22-14nm先導(dǎo)技術(shù)研究，技術(shù)骨干

    代表論著：

  •  1，Jun jie Li,Wenwu Wang,Yongliang Li et al., Study of selective isotropic etching Si1？xGex in process of nanowire transistors. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2020, 31, 134–143

    2，Jun jie Li, Yongliang Li,Guilei Wang, Wenwu Wang et al., A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm. Materials 2020, 13, 771 

    3. Jun jie Li, Yongliang Li,Guilei Wang, Wenwu Wang et al., Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-transistors. Nanomaterials 2020, 10, 1–11 

    4. Radamson, H. Jun jie Li, et al., State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology. Nanomaterials 2020, 10, 1555 

    5. Na Zhou,Junjie Li, et al.,Deep silicon etching for thermopile structures using a modified Bosch process. Journal of Micro/Nanolithography,MEMS,and MOEMS 18(02):1 

    6. Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin,Jun Luo,Hong Yang,Zhenghua Wu,Junjie Li, et al., The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O2/He Plasmas for Thermopile Devices. Materials 2020, 13(19), 4278  

    7. Jianyu Fu,Junjie Li et al., Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process. Materials Science in Semiconductor Processing 83 (2018) 186–191 

    8.Zhaohao Zhang,Gaobo Xu,Qingzhu Zhang,Junjie Li, et al., FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current using 3 nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2. IEEE Electron Device Letters PP(99) 

    9. Xiaogen yin, yongkui zhang,huilong zhu,guilei wang, Junjie li, lichen, et al.,Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation. Electron Device Letters2019, 41, 8–11,doi:10.1109/LED.2019.2954537 IF 3.753 

    10.Chen Li, Huilong Zhu, Yongkui Zhang,Qi Wang, Xiaogen Yin, Junjie Li,et al., First Demonstration of Novel Vertical Gate-All-Around Field-Effect-Transistors Featured by Self-Aligned and Replaced High-κ Metal Gates. Nano Letters 21(11)

    專利申請：

  • 1. 李俊杰，劉耀東，羅軍等，一種二極管探測器、探測器及探測器制作方法，授權(quán)專利號：ZL202010059368.0

    2. 李俊杰，劉耀東，周娜等，一種金屬納米線或片的制作方法及納米線或片，授權(quán)專利號：ZL201910787862.6 

    3. 李俊杰，吳振華，王文武等，一種納米線的制作方法，授權(quán)專利號：ZL201810596945.2 

    4. 李俊杰，徐秋霞，殷華湘，李俊峰等，納米線圍柵MOS器件及其制備方法，授權(quán)專利號：ZL201810745480.2 

    5. 李俊杰，王桂磊，李永亮等，一種微電極結(jié)構(gòu)及其制作方法及包括該器件的電子設(shè)備，授權(quán)專利號：ZL201910380542.9 

    6. 李俊杰，傅劍宇，高建峰，楊濤等，一種紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)及制作方法及其電子設(shè)備， 

    授權(quán)專利號：ZL201910457839.0 

    7. 李俊杰，李永亮，王文武，半導(dǎo)體器件與其制作方法，授權(quán)專利號：ZL201810596940.X 

    8. 李俊杰，周娜，李永亮，王桂磊，殷華湘等，內(nèi)側(cè)墻的刻蝕方法、刻蝕氣體及納米線器件的制備方法，授權(quán)專利號：ZL201911234819.3 

    9. 李俊杰，吳振華，張青竹，王文武，包括納米線的器件與其制作方法，授權(quán)專利號：ZL201810502936.2 

    10. 李俊杰，王桂磊，李永亮，周娜，楊濤，傅劍宇，李俊峰，殷華湘，朱慧瓏，王文武，三維固態(tài)電容器的制造方法、三維固態(tài)電容器及電子設(shè)備，授權(quán)專利號：ZL201910380546.7

    獲獎及榮譽：

  • 中科院微電子研究所先進工作者（十佳員工）

    中國科學(xué)院院長特別獎 

    唐立新獎 

    王守武獎 

    國家獎學(xué)金博士獎