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當(dāng)前位置 首頁 人才隊(duì)伍
  • 姓名： 羅慶
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 主任
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 82995940
  • 傳真： 
  • 電子郵件： luoqing@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 微電子器件與集成技術(shù)研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景?

    2007年9月—2011年6月? 杭州電子科技大學(xué)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)本科學(xué)習(xí)，獲得集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)學(xué)士學(xué)位。?

    2011年9月—2014年3月? 天津理工大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士研究生學(xué)習(xí)，獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士學(xué)位。?

    2014年9月—2017年7月? 中國科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士研究生學(xué)習(xí)，獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位。?

    工作簡歷?

    2017年7月—2019年12月? 中國科學(xué)院微電子及器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，助理研究員

    2019年12月—2021年9月? 中國科學(xué)院微電子及器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，副研究員?

    2021年9月—2022年9月? 中國科學(xué)院微電子及器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，副主任、副研究員?

    2022年9月—2023年7月? 中國科學(xué)院微電子及器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，副主任、研究員?

    2023年7月—至今? ? ?中國科學(xué)院微電子及器件與集成技術(shù)研發(fā)中心，主任、研究員

    社會任職：

    研究方向：

  • 新型存儲器?

    承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

  • 1.國家自然基金杰青項(xiàng)目：“HfO2基鐵電存儲器”2025.01-2029.12 批準(zhǔn)號：62425407，課題經(jīng)費(fèi)：400 萬

    2.國家自然基金優(yōu)青項(xiàng)目：“阻變存儲器的三維集成”2020.01-2022.12 批準(zhǔn)號：61922083，課題經(jīng)費(fèi)：120 萬；?

    3.國家自然基金“后摩爾”重大研究計(jì)劃重點(diǎn)支持項(xiàng)目“基于ALD氧化物半導(dǎo)體的2T0C三維DRAM存儲器”，2023.01-2026.12批準(zhǔn)號：92264204，項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)300萬；?

    4.國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃青年科學(xué)家項(xiàng)目：“鉿基鐵電存儲器機(jī)理與集成技術(shù)研究”，2022.11-2025.10, 批準(zhǔn)號：2022YFB3608400，項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)300萬；?

    5.中科院先導(dǎo)A“先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式RRAM核心技術(shù)”，2022.01-2024.12,項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)：10000萬；?

    6.中科院先導(dǎo)B“存算一體基礎(chǔ)器件與系統(tǒng)”子課題，2020.01-2024.12,子任務(wù)經(jīng)費(fèi)：500萬；?

    7.國家自然基金青年項(xiàng)目：“自選通阻變存儲器的機(jī)理及失效機(jī)制研究”2019.01-2021.12批準(zhǔn)號：61804167，課題經(jīng)費(fèi)：24 萬；?

    代表論著：

  • 1.Wang, Yuan, Lei Tao, Roger Guzman, Qing Luo*, Wu Zhou, Yang Yang, Yingfen Wei et al. "A stable rhombohedral phase in ferroelectric Hf (Zr) 1+ x O2 capacitor with ultralow coercive field."?Science?381, no. 6657 (2023): 558-563.?

    2.Qing Luo, Yan Cheng, Jianguo Yang, Rongrong Cao, Haili Ma, Yang Yang, Rong Huang, Wei Wei, Yonghui Zheng, Tiancheng Gong, Jie Yu, Xiaoxin Xu, Peng Yuan, Xiaoyan Li, Lu Tai, Haoran Yu, Dashan Shang, Qi Liu, Bing Yu, Qiwei Ren, Hangbing Lv, and Ming Liu, “A highly CMOS compatible hafnia-based ferroelectric diode” Nature Communications, 2020, 11(1).?

    3.Qing Luo, Bing Chen，Rongrong Cao, Xiaoyong Xue, Keji Zhou, Jianguo Yang, Xu Zheng, Haoran Yu, Jie Yu, Tiancheng Gong, Xiaoxin Xu, Peng Yuan, Xiaoyan Li, Lu Tai, Qi Liu, Hangbing Lv, and Ming Liu, “Complementary Memory Cell Based on Field-Programmable Ferroelectric Diode for Ultra-Low Power Current-SA Free BNN Applications”, IEDM Tech. Dig.?38.5 (2019)?

    4.Tiancheng Gong, Lei Tao, Junkang Li, Yan Cheng, Yannan Xu, Wei Wei, Pengfei Jiang, Peng Yuan, Yuan Wang, Yuting Chen, Yaxin Ding, Yang Yang, Yan Wang, Bing Chen, Qing Luo*, Steve S Chung, Shixuan Du, Ming Liu. "105× endurance improvement of FE-HZO by an innovative rejuvenation method for 1z node NV-DRAM applications."?Symposium on VLSI Technology (2021)?

    5.Jianguo Yang, Qing Luo, Xiaoyong Xue, Haijun Jiang, Qiqiao Wu, Zhongze Han, Yue Cao, Yongkang Han, Chunmeng Dou, Hangbing Lv, Qi Liu, Ming Liu. “A 9Mb HZO-Based Embedded FeRAM with 1012-Cycle Endurance and 5/7ns Read/Write using ECC-Assisted Data Refresh and Offset-Canceled Sense Amplifier”, ISSCC ,pp. 1-3 (2023)?

    6.Qing Luo, Xiaoxin Xu, Hongtao Liu, Hangbing Lv, Tiancheng Gong, Shibing Long, Qi Liu, Haitao Sun, Writam Banerjee, Ling Li, Jianfeng Gao, Nianduan Lu, Steve S. Chung, Jing Li, and Ming Liu, “Demonstration of 3D vertical RRAM with ultra low-leakage, high-selectivity and self-compliance memory cells”, IEDM Tech. Dig., 10.2: (2015).?

    7.Qing Luo, Xiaoxin Xu, Hongtao Liu, Hangbing Lv, Tiancheng Gong, Shibing Long, Qi Liu, Haitao Sun, Writam Banerjee, Ling Li, Nianduan Lu, and Ming Liu, “Cu BEOL compatible selector with high selectivity (>107), extremely low off-current (~pA) and high endurance (>1010)”, IEDM Tech. Dig., 10.4: (2015).?

    8.Qing Luo, Xiaoxin Xu, Hangbing Lv, Tiancheng Gong, Shibing Long, Qi Liu, Haitao Sun, Ling Li, Nianduan Lu, and Ming Liu, “Fully BEOL Compatible TaOx-based Selector with High Uniformity and Robust Performance”, IEDM Tech. Dig., 11.7: (2016)?

    9.Qing Luo, Xiaoxin Xu, Tiancheng Gong, Hangbing Lv, Danian Dong, Haili Ma, Peng Yuan, Jianfeng Gao, Jing Liu, Zhaoan Yu, Junfeng Li, Shibing Long, Qi Liu, and Ming Liu, “8-layers 3D vertical RRAM with excellent scalability towards storage class memory applications”, IEDM Tech. Dig.?2.7 (2017)?

    10.Qing Luo, Tiancheng Gong, Yan Cheng, Qingzhu Zhang, Haoran Yu, Jie Yu, Haili Ma, Xiaoxin Xu, Kailiang Huang, Xi Zhu, Danian Dong, Jiahao Yin, Peng Yuan, Lu Tai, Jianfeng Gao, Junfeng Li, Huaxiang Yin, Shibing Long, Qi Liu, Hangbinh Lv, and Ming Liu, “Hybrid 1T e-DRAM and e-NVM Realized in One 10 nm node Ferro FinFET device with Charge Trapping and Domain Switching Effects”, IEDM Tech. Dig.?2.6 (2018)?

    專利申請：

    獲獎(jiǎng)及榮譽(yù)：

  • 2018年中國科學(xué)院微電子研究所十佳先進(jìn)工作者。

    2018年中國科學(xué)院杰出科技成就獎(jiǎng)。?

    2019年中國電子信息科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)。

    2024年中國科學(xué)院青年五四獎(jiǎng)?wù)隆?/p>