| 專利名稱: | 一種金屬-半導(dǎo)體埸效應(yīng)晶體管 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 90104646.9 |
| 申請日期: | 1990-07-19 |
| 專利號: | CN1049247 |
| 第一發(fā)明人: | 劉訓(xùn)春 王潤梅 葉甜春 曹振亞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種利用側(cè)壁自對準(zhǔn)技術(shù)制造ＭＥＳＦＥＴ的結(jié)構(gòu)，在金屬柵電極與漏區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣膜厚度大于與源區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣膜厚度，這樣的非對稱結(jié)構(gòu)能夠提高ＭＥＳＦＥＴ的性能。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出