| 專利名稱: | 一種半導(dǎo)體的摻雜技術(shù) |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 90102351.5 |
| 申請日期: | 1990-04-25 |
| 專利號: | CN1056017 |
| 第一發(fā)明人: | 李秀瓊 王培大 馬祥彬 孫惠玲 王純 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種借助在稀薄氣體的兩個電極間施加電壓產(chǎn)生輝光放電引發(fā)半導(dǎo)體摻雜的技術(shù)。它能在實(shí)現(xiàn)高摻雜濃度的同時獲得對淺摻入層的有效控制，并且具有摻雜均勻、損傷小等效果。該技術(shù)設(shè)備簡單，操作方便，成本低廉。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出