| 專利名稱: | 在半導體表面制造T形柵極的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 95101600.8 |
| 申請日期: | 1995-02-21 |
| 專利號: | CN1112288 |
| 第一發(fā)明人: | 劉訓春 葉甜春 錢鶴 吳德馨 王潤梅 曹振亞 張學 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種適用于ＨＥＭＴ等微電子器件生產(chǎn)的在半導體表面制造Ｔ形柵電極的方法。它按Ｔ形電極頂寬的尺寸在半導體表面的膠層上挖槽，再用淀積和定向刻蝕法使槽內(nèi)形成介質(zhì)側(cè)壁，再經(jīng)淀積金屬并剝離柵區(qū)以外的膠層與金屬層，留下最終的Ｔ形柵電極。本發(fā)明能用較寬的Ｔ形頂尺寸加工圖形得到更細的電極底面。它能用稍寬的光刻尺寸加工，實現(xiàn)逼近光學極限的柵長。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出