| 專利名稱: | 一種高電子遷移率晶體管器件 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 95104297.1 |
| 申請日期: | 1995-05-04 |
| 專利號(hào): | CN1121259 |
| 第一發(fā)明人: | 高士平 程秀玲 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 一種高電子遷移率晶體管器件〈ＨＥＭＴ〉的自對準(zhǔn)制作的方法，涉及到在合格基片的管芯臺(tái)面上，制作其上面重疊覆蓋有絕緣膜層的源電極和漏電極，兩電極間距為尺寸與器件柵長相近的夾縫，在夾縫和其他圖形側(cè)壁上制作絕緣隔離側(cè)墻后，在夾縫有效窗口上制作器件柵極肖特基結(jié)及其上面柵電極，從而實(shí)現(xiàn)柵極與源、漏電極自對準(zhǔn)的方法。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出