| 專利名稱: | 束致變蝕技術 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 94118843.4 |
| 申請日期: | 1994-12-09 |
| 專利號: | CN1124364 |
| 第一發(fā)明人: | 韓階平 王守武 王培大 杜甲麗 李秀瓊 陳夢真 劉輝 徐衛(wèi)東 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導體芯片二氧化硅表面束致變蝕技術。本發(fā)明包括使用一種或兩種粒子束諸如離子束、電子束和等離子束對二氧化硅表面進行選擇轟擊，使二氧化硅表面的腐蝕特性發(fā)生明顯變化；在該選擇轟擊的二氧化硅表面上涂一層催化劑混合物層；在一定溫度下經過用氮鼓泡的氟化氫溶液的混合氣體中腐蝕?？墒惯x擇轟擊二氧化硅表面的二個區(qū)的腐蝕速率比達到１∶１００，刻蝕分辨率為亞微米級，正負圖形可變并且清晰完整，可靠性高。 |
| 其它備注: | |
科研產出