| 專利名稱: | 半導(dǎo)體芯片焊料凸點(diǎn)加工方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 00133603.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2000-11-28 |
| 專利號(hào): | CN1355555 |
| 第一發(fā)明人: | 王文泉 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 一種半導(dǎo)體芯片焊料凸點(diǎn)加工方法，包括如下步驟：步驟1：球下金屬化層；步驟2：介質(zhì)膜的淀積與刻蝕；步驟3：電鍍工藝：a、電鍍銅微型凸點(diǎn)或稱厚銅：采用光亮硫酸鹽鍍液配方，鍍銅厚度5－10μm；b、電鍍鉛錫合金凸點(diǎn)：采用光亮鉛錫合金電鍍配方以及材料，二元系鉛錫合金一次電鍍完成；步驟4：回流工藝：采用回流峰值溫度高于焊料熔點(diǎn)10－50℃，并采用中性助焊劑。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出