| 專利名稱: | 70納米多晶硅柵刻蝕－氟化+反應(yīng)離子刻蝕方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 00135749.2 |
| 申請日期: | 2000-12-19 |
| 專利號(hào): | CN1360088 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 錢鶴 于雄飛 趙玉印 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 一種70納米多晶硅柵刻蝕－氟化+反應(yīng)離子刻蝕方法，本方法包括：步驟一：采用為氟化處理技術(shù)；步驟二：采用為70納米電子束膠圖形的轉(zhuǎn)移技術(shù)；其在現(xiàn)有設(shè)備的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)超威細(xì)加工，同時(shí)具有成本低和工藝簡單的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了高保真度的圖形轉(zhuǎn)移，并具有較強(qiáng)的抗腐蝕能力。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出