| 專利名稱: | 一種鈷－自對準硅化物的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 00135752.2 |
| 申請日期: | 2000-12-19 |
| 專利號: | CN1360340 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 錢鶴 季紅浩 柴淑敏 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種鈷—自對準硅化物的方法，本方法具有五個步驟：步驟1：采用鈷/鈦/硅固相反應結(jié)構(gòu)；步驟2：采用氫氟酸/異內(nèi)醇溶液的清洗；步驟3：采用濺射鈷/鈦膜前的真空腔內(nèi)退火處理；步驟4：低應力雙層鈷/鈦復合膜的濺射；步驟5：鈷—自對準硅化物工藝。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出