| 專利名稱: | 70納米器件工藝剖面結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 00135748.4 |
| 申請日期: | 2000-12-19 |
| 專利號: | CN1360342 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 錢鶴 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種70納米器件工藝剖面結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法，其主要步驟如下：步驟1：橫向限定的超陡的倒摻雜縱向溝道剖面的實現(xiàn)；步驟2：溝道區(qū)注氮后柵氧化；步驟3：橫向溝道剖面控制的實現(xiàn)；本發(fā)明具有不需大型的專用設(shè)備、成本低、環(huán)境污染小和工藝簡單的優(yōu)點。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出