| 專利名稱: | 鍺預(yù)無定形注入結(jié)合低能注入形成超淺源漏延伸區(qū)的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 00135751.4 |
| 申請日期: | 2000-12-19 |
| 專利號: | CN1360343 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 殷華湘 錢鶴 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種鍺預(yù)無定形注入結(jié)合低能注入形成超淺源漏延伸區(qū)的方法，在硅表面上用元素鍺的預(yù)無定形注入，進行快速熱退火，形成超淺的PN結(jié)與NP結(jié)，消除注入損傷帶來的結(jié)漏電，步驟為：(1)在原始硅片上形成低摻雜的阱；(2)一次光刻，局部場氧化隔離，形成有源區(qū)；(3)鍺重離子預(yù)無定形注入；(4)通過兩次光刻分別進行二氟化硼和砷的低能注入各形成PN結(jié)與NP結(jié)；(5)低溫側(cè)墻氧化淀積，光刻和RIE刻蝕深源漏區(qū)；(6)深源漏區(qū)注入；(7)快速熱退火。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出