| 專利名稱: | 晶體管T型發(fā)射極或柵極金屬圖形的制造方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 01109272.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2001-03-02 |
| 專利號(hào): | CN1373502 |
| 第一發(fā)明人: | 劉訓(xùn)春 李無(wú)瑕 王潤(rùn)梅 錢永學(xué) 吳德馨 張龍海 鄭堅(jiān)斌 羅明雄 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明晶體管T型發(fā)射極或柵極金屬圖形的制造方法屬于半導(dǎo)體集成電路工藝。本方法是先在襯底片上涂?jī)蓪诱怨饪棠z，或者先淀積一層SiO2或SiN介質(zhì)層后涂正性光刻膠，然后光刻出發(fā)射極或柵極窗口圖形，再用等離子體刻蝕將上層光刻膠上的窗口圖形轉(zhuǎn)移到底層光刻膠或介質(zhì)層上，適當(dāng)擴(kuò)大窗口后蒸發(fā)或?yàn)R射發(fā)射極所需金屬，再經(jīng)剝離獲得T型發(fā)射極或柵極金屬圖形。本方法適用于多種金屬，使發(fā)射區(qū)和基區(qū)面積大為縮小，器件頻率特性提高。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出